具有高长宽比孔洞及高孔洞密度的气体分布板

    公开(公告)号:CN113508191B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202080017675.0

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞,该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞,该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步,该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。

    用于扩散接合的气体淬火
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117460595A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202280040087.8

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 冷却半导体部件基板的示例性方法可包括:在腔室中将半导体部件基板加热到大于或约500℃的温度。半导体部件基板可为或包括铝。方法可包括:将气体输送到腔室中。气体可以由低于或约100℃的温度表征。方法可包括:在小于或约1分钟的第一时间段中将半导体部件基板冷却至低于或约200℃的温度。

    高温喷头的制造
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117296123A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202280032758.6

    申请日:2022-04-04

    Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头包括内核心区域。内核心区域可以界定多个孔。喷头可以包括围绕所述内核心区域的外周边设置的外核心区域。外核心区域可以界定环形通道。喷头可以包括设置在环形通道内的加热元件。喷头可以包括围绕外核心区域的外周边设置的环形衬垫。内核心区域和外核心区域可以包括铝合金。环形衬垫可以具有比铝合金更低的热传导率。

    使用激光钻孔来制造腔室部件的方法

    公开(公告)号:CN116323077A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202180069990.2

    申请日:2021-10-14

    Abstract: 本文提供了一种在用作工艺腔室部件的基板中形成一个或多个孔的方法的实施例。在一些实施例中,在用作工艺腔室部件的基板中形成一个或多个孔的方法包括使用冲击钻孔、套料钻孔或烧蚀工艺中的至少一者,用一个或多个激光钻机在基板中形成一个或多个孔,其中一个或多个孔中的每个孔具有约1:1至约50:1的深宽比,并且其中基板是用于气体输送或流体输送的部件。

    具有高长宽比孔洞及高孔洞密度的气体分布板

    公开(公告)号:CN113508191A

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202080017675.0

    申请日:2020-02-27

    Abstract: 一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞,该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞,该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步,该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。

    用于处理腔室的多孔喷头
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113490765A

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN202080016998.8

    申请日:2020-02-18

    Abstract: 喷头组件包含支撑结构和多孔板。支撑结构包含支撑特征。多孔板具有至少约50W/(mK)的热传导性并且包括多个孔,所述多个孔具有小于约100um的平均直径,其中多孔板的周边的至少一部分安置在支撑特征上。喷头可被包含在用于处理基板的处理腔室内。

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