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公开(公告)号:CN113508191B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202080017675.0
申请日:2020-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞,该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞,该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步,该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。
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公开(公告)号:CN113396240A
公开(公告)日:2021-09-14
申请号:CN202080012897.3
申请日:2020-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor: H·K·P·库马兰库蒂 , P·A·德赛 , D·N·凯德拉亚 , S·阿加瓦尔 , V·S·M·班加罗尔 , T·恩古耶 , 黄祖滨
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。在一个实施方式中,盖组件包括气体歧管。气体歧管包括被配置成接收工艺气体的第一气体通道、被配置成接收掺杂气体的第二气体通道、以及被配置成接收清洁气体的第三气体通道。盖组件还包括喷头。喷头包括被配置成接收工艺气体的一个或多个第一气体开口,以及被配置成接收掺杂气体的一个或多个第二气体开口。
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公开(公告)号:CN117460595A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202280040087.8
申请日:2022-05-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 冷却半导体部件基板的示例性方法可包括:在腔室中将半导体部件基板加热到大于或约500℃的温度。半导体部件基板可为或包括铝。方法可包括:将气体输送到腔室中。气体可以由低于或约100℃的温度表征。方法可包括:在小于或约1分钟的第一时间段中将半导体部件基板冷却至低于或约200℃的温度。
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公开(公告)号:CN113508191A
公开(公告)日:2021-10-15
申请号:CN202080017675.0
申请日:2020-02-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于处理腔室的喷淋头组件的气体分布板可包括至少第一板及第二板。该第一板可包括第一多个孔洞,该第一多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。该第二板可包括第二多个孔洞,该第二多个孔洞各自具有至少大约100um的直径。进一步,该第一多个孔洞中的每一个与该第二多个孔洞中的相应孔洞对准而形成多个互连孔洞。该多个互连孔洞中的每一个与每一个其他互连孔洞隔离。
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