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公开(公告)号：CN117296123A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280032758.6
申请日：2022-04-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·阿加瓦尔 , K·吴 , S·贾法里 , 黎坚 , C·A·拉玛琳格姆
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理腔室喷头包括内核心区域。内核心区域可以界定多个孔。喷头可以包括围绕所述内核心区域的外周边设置的外核心区域。外核心区域可以界定环形通道。喷头可以包括设置在环形通道内的加热元件。喷头可以包括围绕外核心区域的外周边设置的环形衬垫。内核心区域和外核心区域可以包括铝合金。环形衬垫可以具有比铝合金更低的热传导率。
