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公开(公告)号：CN113795908A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033975.8
申请日：2020-02-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02
Abstract: 提供了用于处理基板的实施例，并且实施例包括修整光刻胶的方法，以提供具有平滑侧壁表面的光刻胶轮廓并且调整图案化特征和/或后续沉积的介电层的临界尺寸。所述方法能够包括：在基板上沉积牺牲结构层，在牺牲结构层上沉积光刻胶，以及图案化光刻胶以在牺牲结构层上产生粗略光刻胶轮廓。所述方法还包括：用等离子体修整光刻胶以产生覆盖牺牲结构层的第一部分的精修的光刻胶轮廓，同时暴露牺牲结构层的第二部分；蚀刻牺牲结构层的第二部分以形成设置在基板上的图案化特征；以及在图案化特征上沉积介电层。
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公开(公告)号：CN112106173A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031593.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 本公开的实施例与具有零图案负载特性的介电层沉积方法相关。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：通过在处理腔室中不存在等离子体的情况下将基板同时暴露于沉积前驱物和调整气体，来在具有图案化的区域和覆盖区域的基板上沉积保形介电层，其中该沉积前驱物起反应以形成化学反应副产物，且该化学反应副产物与该调整气体相同，并且其中该沉积前驱物和该调整气体是以大于沉积反应在该图案化的区域和该覆盖区域处发生所需的量提供的。
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公开(公告)号：CN113544310B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202080019065.4
申请日：2020-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。
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公开(公告)号：CN113544310A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019065.4
申请日：2020-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。
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公开(公告)号：CN113316835A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201980089580.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463146B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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公开(公告)号：CN113424297A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080014477.9
申请日：2020-02-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： R·纳拉亚南 , 阮芳 , P·K·库尔施拉希萨 , D·N·凯德拉亚 , K·嘉纳基拉曼
IPC: H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/683 , C23C16/32 , H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及处理基板的方法。方法包括使定位于处理腔室的处理容积中的基板暴露于含烃气体混合物、使基板暴露于含硼气体混合物，及在处理容积中产生射频(RF)等离子体，以于基板上沉积硼‑碳膜。含烃气体混合物与含硼气体混合物以(含硼气体混合物)/(含硼气体混合物+含烃气体混合物)为约0.38至约0.85的前驱物比率流入处理容积。硼‑碳硬掩模膜为高深宽比特征(例如10：1或以上)和小尺寸器件(例如7纳米节点或以下)提供高模量、蚀刻选择性和应力。
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公开(公告)号：CN113396240A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080012897.3
申请日：2020-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： H·K·P·库马兰库蒂 , P·A·德赛 , D·N·凯德拉亚 , S·阿加瓦尔 , V·S·M·班加罗尔 , T·恩古耶 , 黄祖滨
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本公开涉及一种用于基板处理腔室的盖组件设备及相关方法。在一个实施方式中，盖组件包括气体歧管。气体歧管包括被配置成接收工艺气体的第一气体通道、被配置成接收掺杂气体的第二气体通道、以及被配置成接收清洁气体的第三气体通道。盖组件还包括喷头。喷头包括被配置成接收工艺气体的一个或多个第一气体开口，以及被配置成接收掺杂气体的一个或多个第二气体开口。
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公开(公告)号：CN112449679A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201980048382.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: G01N15/02 , G01N15/06 , G01N21/3504 , H01L21/67 , H01L21/66
Abstract: 在此提供用于输送具有期望的乙硼烷浓度的处理气体至处理腔室的处理容积的系统与方法。在一实施例中，系统包括硼烷浓度传感器。硼烷浓度传感器包括主体与多个窗口。在此，多个窗口的各窗口安置在主体的相对端且主体与多个窗口共同地界定单元容积。硼烷浓度传感器进一步包括辐射源与辐射检测器，辐射源安置在单元容积外并邻近于多个窗口的第一窗口，辐射检测器安置在单元容积外并邻近于多个窗口的第二窗口。
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公开(公告)号：CN111463146A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201911327919.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·S·C·帕里米 , Z·黄 , J·李 , S·拉达克里什南 , 程睿 , D·N·凯德拉亚 , J·C·罗查 , U·M·科尔卡 , K·杰纳基拉曼 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔 , B·S·权
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
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