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公开(公告)号：CN116978778A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310971928.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN114830322A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080088027.4
申请日：2020-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , C23C16/458
Abstract: 示例性的半导体处理腔室可包含底座，底座包含平台，平台被配置为跨平台的表面支撑半导体基板。腔室可包括第一导电网，第一导电网结合在平台内并且构造成用作第一吸附网。第一导电网可以跨平台径向延伸。腔室可包括第二导电网，第二导电网结合在平台内并且构造成用作第二吸附网。第二导电网的特征可在于环形。第二导电网可设置在第一导电网和平台的表面之间。
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公开(公告)号：CN113474484A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016080.3
申请日：2020-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·卡玛斯 , D·帕德希 , A·R·巴曼 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 此处所述的实施例涉及具有多通道分离器线轴的气体管线系统。在这些实施例中，气体管线系统将包括配置成供应第一气体的第一气体管线。第一气体管线通过在其中流动第一气体的多个第二气体管线耦合至多通道分离器线轴。多个第二气体管线中的各个气体管线将具有比第一气体管线的空间要小的空间。较小的第二气体管线将通过加热器护套包覆。由于第二气体管线的较小的空间，当第一气体流动通过第二气体管线时，加热器护套将充分加热第一气体，从而在第一气体在气体管线系统中与第二气体相遇时，消除在常规气体管线系统中发生的凝结引发的粒子缺陷。
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公开(公告)号：CN114867890A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080088923.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内使含硅前驱物的第一流率斜变(ramping)为第二流率，第二流率大于第一流率。方法可包括在半导体基板上沉积含硅材料。
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公开(公告)号：CN109417022A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040172.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/324 , H01L27/11551
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417022B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201780040172.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/324 , H10B41/20
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN113316835A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201980089580.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺气体的第二气流含有乙硼烷和氢。所述方法还包括：与到达工艺区域的第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流同时形成等离子体，并将基板暴露于第一工艺气体、第二工艺气体和等离子体，以在基板上沉积氮化硅硼层。
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公开(公告)号：CN110637353A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032600.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本公开的实施方式整体涉及一种在小于250摄氏度的温度下处理半导体衬底的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：将具有沉积的膜的所述衬底装载到压力容器中；在大于约2巴的压力下将所述衬底暴露于包括氧化剂的处理气体；以及维持所述压力容器处于在所述处理气体的冷凝点与约250摄氏度之间的温度。
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公开(公告)号：CN114867890B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202080088923.0
申请日：2020-11-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 示例性沉积方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氧前驱物的等离子体。处理区域可在基板支撑件上容纳半导体基板。所述方法可包括，在保持含氧前驱物的等离子体的同时，使含硅前驱物以第一流率流入半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在时间段内使含硅前驱物的第一流率斜变(ramping)为第二流率，第二流率大于第一流率。方法可包括在半导体基板上沉积含硅材料。
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公开(公告)号：CN114762082A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080081708.8
申请日：2020-10-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/509 , C23C16/52
Abstract: 示例性的沉积方法可包括：将含硅前驱物和载体前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含硅前驱物和载体前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积第一数量的含硅材料。沉积可在第一腔室压力下发生。方法可包括：将第一腔室压力调整至比第一腔室压力要小的第二腔室压力。方法可包括：在第一数量的含硅材料上沉积第二数量的含硅材料。
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