公开(公告)号：CN110945642B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880037482.4

申请日：2018-06-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  陈一宏 ,  江施施 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。

公开(公告)号：CN111066140B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880058616.0

申请日：2018-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克 ,  A·B·穆里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。

公开(公告)号：CN112640086A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057396.4

申请日：2019-10-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3205

Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及沉积薄膜的方法，并且更具体地，涉及沉积金属薄膜。本文的方法提供了无成核转化(nucleation free conversion；NFC)方法，此方法涉及在介电层之上形成非晶硅层，并执行NFC工艺，所述NFC工艺用于将非晶硅层转化成金属薄膜。在一些实施例中，多次执行NFC工艺，直到所得的薄金属膜是连续的。在薄金属膜之上形成块状金属。

公开(公告)号：CN111492467A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081231.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 兹描述选择性地沉积钌的方法。优选的沉积表面根据处理期间的基板温度而改变。在高温下，钌沉积在导电材料的第一表面上更甚于绝缘材料的第二表面。在低温下，钌沉积在绝缘表面上更甚于导电表面。

公开(公告)号：CN111194361A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880064867.X

申请日：2018-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  陈一宏 ,  巫勇 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/02 ,  C23C16/08

Abstract: 用于在掺杂的非晶硅层上沉积金属膜作为衬底上的成核层和/或胶层的方法。一些实施方式还包括结合胶层以增加所述掺杂的非晶硅层和金属层粘附到所述衬底的能力。

公开(公告)号：CN109417022A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040172.3

申请日：2017-06-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛哈罗伊 ,  K·陈 ,  H·M·李 ,  S·卡玛斯 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324 ,  H01L27/11551

Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。

公开(公告)号：CN108369896A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072606.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 田中启一 ,  A·肖特 ,  M·斯里拉姆 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: 用于填充半导体特征的间隙的方法包括将基板表面暴露于前驱物和反应物并暴露于退火环境以降低沉积的膜的湿法蚀刻速率比率，并且填充间隙。

公开(公告)号：CN111133579B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880057320.7

申请日：2018-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·古帕拉加 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/07 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了形成存储器结构的方法。金属膜沉积在结构化基板的特征中，且体积地膨胀以形成柱。将毯覆膜沉积达一高度，所述高度小于所述柱的高度，且从所述柱的顶部移除所述毯覆膜。减少所述柱的高度，使得所述柱的顶部是在所述毯覆膜的表面下方，且任选地重复该工艺，以形成预定高度的结构。在形成所述预定高度的结构之后，能够从所述特征移除所述柱，以形成高深宽比特征。

公开(公告)号：CN111492467B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880081231.6

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  巫勇 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 兹描述选择性地沉积钌的方法。优选的沉积表面根据处理期间的基板温度而改变。在高温下，钌沉积在导电材料的第一表面上更甚于绝缘材料的第二表面。在低温下，钌沉积在绝缘表面上更甚于导电表面。

公开(公告)号：CN111566786A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880084984.2

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。