公开(公告)号：CN118231247A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410220896.8

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。

公开(公告)号：CN111566786B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201880084984.2

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。

公开(公告)号：CN111566786A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880084984.2

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。