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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111066140B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201880058616.0
申请日：2018-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。
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公开(公告)号：CN118231247A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410220896.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/321 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
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公开(公告)号：CN111566786B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN201880084984.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
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公开(公告)号：CN111566786A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880084984.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。
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公开(公告)号：CN111066140A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880058616.0
申请日：2018-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。
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