公开(公告)号：CN110678981B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201880033951.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  K·陈

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。

公开(公告)号：CN111696853B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202010581539.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·慕克吉 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文涉及处理基板的方法。本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：CN111696853A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010581539.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·慕克吉 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文涉及处理基板的方法。本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：CN107210196A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680009234.X

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·慕克吉 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：CN104508805A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380039886.4

申请日：2013-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02348 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 提供了一种用于修复及降低半导体制造中所使用的低k介电层的介电常数的方法。在一个实施例中，一种修复损伤低k介电层的方法包括使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物；及可选择地使该多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。

公开(公告)号：CN108369897B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201680072766.8

申请日：2016-12-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于沉积金属膜的方法，包括：在基板上形成非晶硅层以作为成核层和/或胶黏层。一些实施例进一步包括并入胶黏层，以增加非晶硅层与金属层黏着到该基板的能力。

公开(公告)号：CN108028172B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201680054413.5

申请日：2016-09-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

Abstract: 公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。

公开(公告)号：CN108140562A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060335.X

申请日：2016-10-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  K·陈 ,  K·杰纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/04 ,  C23C16/045 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/4584

Abstract: 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。

公开(公告)号：CN104471687A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380036771.X

申请日：2013-06-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  J·徐 ,  K·S·伊姆 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷化作用剂。硅烷化作用剂与该多孔的低k介电质薄膜中的Si-OH官能基反应，以增加低k介电质薄膜中的碳浓度。

公开(公告)号：CN116978778A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310971928.3

申请日：2017-06-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·辛哈罗伊 ,  K·陈 ,  H·M·李 ,  S·卡玛斯 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/40 ,  C23C16/14 ,  H01J37/32 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35

Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。