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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417022A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040172.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/324 , H01L27/11551
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN116978778A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310971928.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN109417022B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201780040172.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , H01L21/324 , H10B41/20
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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公开(公告)号：CN110249410B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201880009510.1
申请日：2018-01-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , A·B·玛里克 , S·辛哈罗伊 , T·越泽
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物来在籽晶层上形成包括钨、硼和碳的过渡层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在过渡层上形成包括钨、硼和碳的块体硬掩模层。
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公开(公告)号：CN110249410A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009510.1
申请日：2018-01-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , A·B·玛里克 , S·辛哈罗伊 , T·越泽
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/3213
Abstract: 本公开内容的实施例总体上关于集成电路的制造。更具体地，本文所述的实施例提供在基板上沉积硬掩模膜的技术。在一个实施例中，提供在基板上形成硬掩模层的方法。方法包括通过在处理腔室中供应籽晶层气体混合物来在基板上形成籽晶层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应过渡层气体混合物来在籽晶层上形成包括钨、硼和碳的过渡层。方法进一步包括通过在处理腔室中供应主要沉积气体混合物来在过渡层上形成包括钨、硼和碳的块体硬掩模层。
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