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    用于激光钻孔盲通孔的方法和设备
    1.
    发明公开
    用于激光钻孔盲通孔的方法和设备 审中-实审

    公开(公告)号：CN116548072A

    公开(公告)日：2023-08-04

    申请号：CN202180060651.8

    申请日：2021-06-15

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 类维生 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  S·文哈弗贝克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠

    IPC: H05K3/40

    Abstract: 在实施例中，提供了一种在包含掩模层、导电层和介电层的基板中形成盲通孔的方法，包括以下步骤：将基板传送到扫描腔室；确定盲通孔的一种或多种性质，所述一种或多种性质包含顶部直径、底部直径、容积、或约80°或更大的锥角；将激光束聚焦在基板处，以移除掩模层的至少一部分；基于一种或多种性质调整激光工艺参数；以及在经调整的激光工艺参数下聚焦激光束以移除容积内的介电层的至少一部分，以形成盲通孔。在一些实施例中，掩模层可以是预蚀刻的。在另一个实施例中，提供了一种用于在基板中形成盲通孔的设备。

    使用能量化离子以图案化磁性薄膜的方法
    3.
    发明授权
    使用能量化离子以图案化磁性薄膜的方法 失效

    公开(公告)号：CN102197426B

    公开(公告)日：2014-11-05

    申请号：CN200980142620.6

    申请日：2009-10-15

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： O·那拉玛苏 ,  S·文哈弗贝克 ,  M·孚德 ,  M·文卡特杉 ,  N·M·克里希纳

    IPC: G11B5/84 ,  G11B5/74

    Abstract: 本发明提供一种用于在基板上图案化磁性薄膜的方法，所述方法包括：在所述磁性薄膜周围提供图案，其中所述图案的选择性区域允许一或多种元素的能量化离子的穿透。能量化离子经产生而具有足够能量以穿透选择性区域及与这些选择性区域相邻的所述磁性薄膜的部分。置放所述基板以接收这些能量化离子。可使所述磁性薄膜的所述部分经受热激发。使所述磁性薄膜的这些部分呈现出与选择性其它部分不同的磁性性质。本发明亦揭示用于图案化磁性媒体的方法，所述媒体的两侧上具有磁性薄膜。

    基板结构化方法
    4.
    发明公开
    基板结构化方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118866672A

    公开(公告)日：2024-10-29

    申请号：CN202410859814.4

    申请日：2020-04-06

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

    Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。

    用于封装制造的激光烧蚀系统
    5.
    发明公开
    用于封装制造的激光烧蚀系统 审中-实审

    公开(公告)号：CN115835936A

    公开(公告)日：2023-03-21

    申请号：CN202180048402.7

    申请日：2021-06-23

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： K·莱斯彻基什 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生 ,  S·文哈弗贝克 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  朴起伯

    IPC: B23K26/359

    Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。

    HDD图案布植系统
    6.
    发明公开
    HDD图案布植系统 失效

    公开(公告)号：CN103824569A

    公开(公告)日：2014-05-28

    申请号：CN201410088408.9

    申请日：2010-02-12

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： M·A·孚德 ,  J·纽曼 ,  J·A·马林 ,  D·J·霍夫曼 ,  S·莫法特 ,  S·文哈弗贝克

    IPC: G11B5/73 ,  G11B5/82 ,  G11B5/84

    CPC classification number: G11B5/82 ,  C23C14/48 ,  C23C14/50 ,  C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  G11B5/84 ,  G11B5/855 ,  H01L21/673 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

    Abstract: 本发明提供用于形成具有经磁性图案化的表面的基板的方法及装置。在一基板上形成包含具有磁性性质的一种或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程，在图案化制程中改变该磁层的该表面的选定部分，以使得该经改变的部分具有与非改变部分不同的磁性性质而不改变该基板的构形。在该经图案化的磁层上方沉积一保护层及一润滑层。该图案化经由将基板暴露于具有变动形式的能量的若干制程来实现。本文揭示的装置及方法使得能够同时处理一基板的两个主表面或藉由翻转相继处理一基板的两个主表面。在一些实施例中，该基板表面的磁性性质可藉由等离子体暴露来均匀地改变，且随后藉由暴露于经图案化的能量来选择性地复原磁性性质。

    具内置EMI屏蔽的封装结构
    8.
    发明公开
    具内置EMI屏蔽的封装结构 审中-实审

    公开(公告)号：CN116490971A

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN202180071875.9

    申请日：2021-10-06

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： S·文哈弗贝克 ,  陈翰文 ,  朴起伯 ,  C·布赫

    IPC: H01L23/552

    Abstract: 本公开涉及具有集成的电磁干扰(“EMI”)屏蔽件的薄形状因子半导体封装和用于其形成的方法。本文描述的封装可用于形成高密度半导体器件。在某些实施例中，硅基板经激光剥蚀以包括一个或多个空腔和围绕空腔的多个通孔。一个或多个半导体管芯可放置在空腔内并且此后在其上形成绝缘层之后嵌入基板中。多个导电互连形成在通孔内并且可具有再分布到管芯嵌入的基板组件的期望表面的接触点。此后，将EMI屏蔽件镀覆到管芯嵌入的基板组件的表面上并且通过一个或多个导电互连中的至少一者连接到接地。管芯嵌入的基板组件可随后切单和/或与另一半导体器件集成。

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