公开(公告)号：CN113643983A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110290683.9

申请日：2021-03-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  类维生 ,  J·L·富兰克林 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  G·帕克 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/52 ,  H01L23/495 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/362

Abstract: 公开了用于封装制造的激光烧蚀。制造封围一个或多个半导体晶粒的框架的方法包括通过第一激光烧蚀工艺在基板中形成包括一个或多个空腔和一个或多个穿孔的一个或多个特征，在一个或多个穿孔中填充电介质材料，以及通过第二激光烧蚀工艺在填充于一个或多个穿孔中的电介质材料中形成通孔中通孔。一个或多个空腔被配置为在其中封围一个或多个半导体晶粒。在第一激光烧蚀工艺中，基于一个或多个特征的深度调整照射基板的第一脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。在第二激光烧蚀工艺中，基于通孔中通孔的深度调整照射电介质材料的第二脉冲激光束的频率、脉冲宽度和脉冲能量。

公开(公告)号：CN109755128B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201811300275.1

申请日：2018-11-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·德尔马斯 ,  C·T·卡尔森 ,  R·B·沃派特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。

公开(公告)号：CN114762099A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080081984.4

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥 ,  B·斯托纳斯 ,  J·德尔马斯

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN109755128A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811300275.1

申请日：2018-11-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·德尔马斯 ,  C·T·卡尔森 ,  R·B·沃派特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。

公开(公告)号：CN115835936A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180048402.7

申请日：2021-06-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生 ,  S·文哈弗贝克 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  朴起伯

IPC: B23K26/359

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。

公开(公告)号：CN209312719U

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201821800006.7

申请日：2018-11-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·德尔马斯 ,  C·T·卡尔森 ,  R·B·沃派特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利