公开(公告)号：CN116848629A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013740.1

申请日：2022-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·A·哈利斯 ,  C·S·格鲁夫 ,  P·Z·沃斯 ,  A·尚塔拉姆 ,  A·伊尔玛兹 ,  A·尼桑 ,  J·R·比姆吉亚尼 ,  N·平格尔 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文提供将小芯片接合至基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：设备前端模块(EFEM)，所述设备前端模块(EFEM)具有用于接收一种或多种类型的基板的一个或多个载入口；以及多个自动化模块，所述多个自动化模块彼此耦接并具有耦接至EFEM的第一自动化模块，其中多个自动化模块中的每一者包括传送腔室和耦接至传送腔室的一个或多个处理腔室，其中传送腔室包括被配置成保持多个一种或多种类型的基板的缓冲器，并且其中传送腔室包括传送机器人，所述传送机器人被配置成在缓冲器、一个或多个处理腔室、以及设置在多个自动化模块中的相邻自动化模块中的缓冲器之间传送一种或多种类型的基板。

公开(公告)号：CN114787989A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082028.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113811994A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034788.1

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开关于用于形成薄形状系数半导体封装的方法及设备。在一个实施例中，通过微喷或激光烧蚀来构造玻璃或硅基板，以形成用于通过基板而形成互连的结构。而后，将基板用作框架以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。

公开(公告)号：CN118871626A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380027718.7

申请日：2023-03-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·L·伯恩特 ,  J·伍德耶德 ,  N·哈斯吉瓦勒 ,  V·迪卡普里奥

IPC: C25D5/02 ,  C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  C25D21/12 ,  G03F7/20 ,  H01L21/288 ,  H01L21/66

Abstract: 用于电镀基板的方法和设备结合数字平版印刷和来自电镀工艺的反馈的各方面，以基于晶粒图案改善镀覆材料的特性。在一些实施例中，电镀基板的方法可包括以下步骤：接收晶粒设计，基于晶粒设计针对第一基板形成第一平版印刷图案，使用数字平版印刷工艺以第一平版印刷图案来图案化第一基板，使用电镀工艺以在第一基板上沉积材料，使用计量工艺来确定第一基板上的经沉积材料的至少一个参数，以及针对第二基板至少部分地基于由数字平版印刷工艺从第一基板上的计量工艺直接接收的所述至少一个参数来针对第二基板从第一平版印刷图案形成第二平版印刷图案。

公开(公告)号：CN114762099A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080081984.4

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥 ,  B·斯托纳斯 ,  J·德尔马斯

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113330562A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089669.3

申请日：2019-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  曹圭一 ,  P·利安托 ,  徐源辉 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/498 ,  H01L23/482 ,  H01L23/14 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

Abstract: 公开了一种用于使用钼粘附层将聚酰亚胺基板连接至铜晶种层和镀铜附件来制造电气部件的方法。

公开(公告)号：CN119563232A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380053507.0

申请日：2023-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·潘乔里 ,  M·L·伯恩特 ,  R·P·许默勒 ,  A·尚塔拉姆 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/00

Abstract: 用于接合半导体表面的方法利用混合接合工艺来实现异质集成架构。在一些实施例中，所述方法可以包括在硅基基板上形成半导体结构，所述半导体结构具有在半导体结构的顶表面上的第一组暴露的导电连接。第一组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。形成具有第二组暴露的导电连接的先进矩形基板面板。第二组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。使用混合接合工艺将半导体结构的顶表面接合到先进矩形基板面板的顶表面，以将半导体结构接合到先进矩形基板面板。

公开(公告)号：CN118160080A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072000.5

申请日：2022-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·A·哈里斯 ,  C·S·格鲁夫 ,  P·Z·沃斯 ,  A·尚塔拉姆 ,  A·伊尔玛兹 ,  A·尼桑 ,  J·R·比姆吉亚尼 ,  N·平格尔 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00 ,  H01L21/687

Abstract: 本文提供用于将小芯片接合至基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：第一装备前端模块(EFEM)和第二EFEM，第一EFEM具有用于接收一个或多个类型的基板的一个或多个装载口，并且第二EFEM具有一个或多个装载口；以及多个大气模块化主机(AMM)，彼此耦接并具有耦接至第一EFEM的第一AMM和耦接至第二EFEM的最终AMM，其中多个AMM中的每一者包括转移腔室和耦接至所述转移腔室的一个或多个工艺腔室，其中转移腔室包括缓冲器，并且其中转移腔室包括转移机器人、一个或多个工艺腔室，以及设置在所述多个AMM中的相邻AMM中的缓冲器。

公开(公告)号：CN113795910A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080034003.0

申请日：2020-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  徐源辉 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开内容涉及薄的外形因数的重构基板及其形成方法。本文所述的重构基板可用于制造同质或异质的高密度3D集成器件。在一个实施例中，通过直接激光图案化将硅基板结构化成包括一个或多个腔和一个或多个通孔。可将相同或不同类型的一个或多个半导体管芯放置在腔内，然后在其上形成绝缘层之后将其嵌入基板中。在通孔中形成一个或多个导电互连，并且所述一个或多个导电互连可具有重新分配到重构基板的期望表面的接触点。然后，可将重构基板整合到堆叠式3D器件中。