公开(公告)号：CN118866672A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410859814.4

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。

公开(公告)号：CN115835936A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180048402.7

申请日：2021-06-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生 ,  S·文哈弗贝克 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  朴起伯

IPC: B23K26/359

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。

公开(公告)号：CN116490971A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180071875.9

申请日：2021-10-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·文哈弗贝克 ,  陈翰文 ,  朴起伯 ,  C·布赫

IPC: H01L23/552

Abstract: 本公开涉及具有集成的电磁干扰(“EMI”)屏蔽件的薄形状因子半导体封装和用于其形成的方法。本文描述的封装可用于形成高密度半导体器件。在某些实施例中，硅基板经激光剥蚀以包括一个或多个空腔和围绕空腔的多个通孔。一个或多个半导体管芯可放置在空腔内并且此后在其上形成绝缘层之后嵌入基板中。多个导电互连形成在通孔内并且可具有再分布到管芯嵌入的基板组件的期望表面的接触点。此后，将EMI屏蔽件镀覆到管芯嵌入的基板组件的表面上并且通过一个或多个导电互连中的至少一者连接到接地。管芯嵌入的基板组件可随后切单和/或与另一半导体器件集成。

公开(公告)号：CN116058082A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180051305.3

申请日：2021-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·查克拉博蒂 ,  S·文哈弗贝克 ,  陈翰文 ,  C·布赫 ,  P·古拉迪雅 ,  朴起伯 ,  K·赵

IPC: H05K3/38

Abstract: 描述了形成电路板的方法和使用粘附层的电路板。将具有两个表面的基板暴露于双官能有机化合物，以在第一基板表面上形成粘附层。随后在粘附层和暴露的基板表面上沉积树脂层。可移除树脂层的一部分以暴露用于接触的金属衬垫。

公开(公告)号：CN113874987A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080038429.3

申请日：2020-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  T·查克拉博蒂 ,  P·利安托 ,  P·S·古拉迪雅 ,  徐源辉 ,  朴起伯 ,  C·布赫 ,  P·G·甘 ,  A·洪

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本公开的实施例总体涉及基板上的表面和在基板上形成的层上的表面的平面化。更具体地，本公开的实施例涉及用于先进封装应用的基板上的表面(诸如聚合材料层的表面)的平面化。在一个实施方式中，方法包括在第一抛光工艺期间在存在研磨浆料的情况下抵靠抛光表面机械研磨基板表面，以移除在基板上形成的材料的一部分；以及随后在第二抛光工艺期间在存在抛光浆料的情况下抵靠抛光表面化学机械抛光基板表面，以减少由第一抛光工艺造成的任何粗糙度或不平坦。

公开(公告)号：CN113795910A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080034003.0

申请日：2020-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  徐源辉 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开内容涉及薄的外形因数的重构基板及其形成方法。本文所述的重构基板可用于制造同质或异质的高密度3D集成器件。在一个实施例中，通过直接激光图案化将硅基板结构化成包括一个或多个腔和一个或多个通孔。可将相同或不同类型的一个或多个半导体管芯放置在腔内，然后在其上形成绝缘层之后将其嵌入基板中。在通孔中形成一个或多个导电互连，并且所述一个或多个导电互连可具有重新分配到重构基板的期望表面的接触点。然后，可将重构基板整合到堆叠式3D器件中。

公开(公告)号：CN120033074A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510177076.X

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。

公开(公告)号：CN117561587A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280024508.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  T·查克拉博蒂 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开关于用于先进晶片级半导体封装中的互连的微通孔结构。本文所述的方法能够形成具有改进的均匀性的高质量、低深宽比微通孔结构，从而促进具有高I/O密度以及改进的带宽和功率的薄且小形状因子半导体器件。

公开(公告)号：CN114787989A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082028.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113811994A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034788.1

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开关于用于形成薄形状系数半导体封装的方法及设备。在一个实施例中，通过微喷或激光烧蚀来构造玻璃或硅基板，以形成用于通过基板而形成互连的结构。而后，将基板用作框架以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。