公开(公告)号：CN110678973B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880035089.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处理气体的冷凝点的温度；和从压力容器去除处理气体与碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。

公开(公告)号：CN112996950B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980072236.7

申请日：2019-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  K·莱斯彻基什 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。另一实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中。一个或多个特征中的每一者具有材料的接缝。材料的接缝在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。

公开(公告)号：CN115835936A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180048402.7

申请日：2021-06-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生 ,  S·文哈弗贝克 ,  J·德尔马斯 ,  陈翰文 ,  朴起伯

IPC: B23K26/359

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。

公开(公告)号：CN111699549B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN116548072A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180060651.8

申请日：2021-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  S·文哈弗贝克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠

IPC: H05K3/40

Abstract: 在实施例中，提供了一种在包含掩模层、导电层和介电层的基板中形成盲通孔的方法，包括以下步骤：将基板传送到扫描腔室；确定盲通孔的一种或多种性质，所述一种或多种性质包含顶部直径、底部直径、容积、或约80°或更大的锥角；将激光束聚焦在基板处，以移除掩模层的至少一部分；基于一种或多种性质调整激光工艺参数；以及在经调整的激光工艺参数下聚焦激光束以移除容积内的介电层的至少一部分，以形成盲通孔。在一些实施例中，掩模层可以是预蚀刻的。在另一个实施例中，提供了一种用于在基板中形成盲通孔的设备。

公开(公告)号：CN112996950A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980072236.7

申请日：2019-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  K·莱斯彻基什 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。另一实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中。一个或多个特征中的每一者具有材料的接缝。材料的接缝在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。

公开(公告)号：CN110637353A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032600.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·文哈弗贝克 ,  S·卡玛斯 ,  Z·王 ,  H·张 ,  江施施

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的实施方式整体涉及一种在小于250摄氏度的温度下处理半导体衬底的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：将具有沉积的膜的所述衬底装载到压力容器中；在大于约2巴的压力下将所述衬底暴露于包括氧化剂的处理气体；以及维持所述压力容器处于在所述处理气体的冷凝点与约250摄氏度之间的温度。

公开(公告)号：CN111095524B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880058936.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·文哈弗贝克 ,  江施施

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔室、配置以执行衬垫沉积工艺以形成衬垫层的第二沉积腔室、配置以在衬垫层之上形成可流动介电层的第三沉积腔室、配置以将可流动氧化物层暴露于高压蒸气的退火腔室。

公开(公告)号：CN114762099A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080081984.4

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥 ,  B·斯托纳斯 ,  J·德尔马斯

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113382535A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110256865.4

申请日：2021-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  G·帕克 ,  K·赵 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生

IPC: H05K1/14 ,  H01L23/52

Abstract: 本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。