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公开(公告)号：CN117832071A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311645258.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78 , C23C14/04 , C23C16/04
Abstract: 公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。
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公开(公告)号：CN114846578A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080090639.7
申请日：2020-12-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , C23C16/38
Abstract: 示例性方法可包括：将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法还可包括：由含硼前驱物在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。方法可进一步包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硼材料。含硼材料可包括大于50％的硼。在一些实施例中，含硼材料可基本上全部由硼组成。在一些实施例中，方法可进一步包括：将含锗前驱物、含氧前驱物、含硅前驱物、含磷前驱物、含碳前驱物和/或含氮前驱物中的至少一者输送到半导体处理腔室的处理区域。含硼材料可进一步包括锗、氧、硅、磷、碳和/或氮中的至少一者。
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公开(公告)号：CN114729454A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN117012710A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310904747.9
申请日：2018-12-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。
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公开(公告)号：CN112262227B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201980039203.2
申请日：2019-06-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/26 , H01L21/02 , H01L21/311 , C23C16/56 , H01L21/308
Abstract: 本公开描述了用于在基板上沉积非晶碳层的方法。基板被暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物。本公开还描述了蚀刻基板的方法，所述方法包括通过将基板暴露于具有式(I)的结构的碳前驱物来在基板上形成非晶碳硬掩模。
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公开(公告)号：CN112996950A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201980072236.7
申请日：2019-11-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/24 , C23C16/26 , H01L21/02 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。另一实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中。一个或多个特征中的每一者具有材料的接缝。材料的接缝在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。
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公开(公告)号：CN114729454B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN111602228B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201880086359.1
申请日：2018-12-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/8238 , C07F7/10 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/324
Abstract: 公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。
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