公开(公告)号：CN111512429B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880082311.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·穆里克 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。

公开(公告)号：CN117012710A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310904747.9

申请日：2018-12-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·穆里克 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/06 ,  C23C8/10 ,  C23C8/12 ,  C23C8/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。

公开(公告)号：CN111512429A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880082311.3

申请日：2018-12-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·穆里克 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。