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公开(公告)号：CN118854264A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410914691.X
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN112740360A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061362.2
申请日：2019-10-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·E·戈特海姆 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23C16/455 , G03F7/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中，提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中，所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板，其中将基板保持在约‑10℃至约20℃的温度和约0.5毫托至约10托的腔室压力；以及通过将第一RF偏压施加至静电吸盘来生成等离子体，以在基板上沉积含有约60％或更多的杂化sp3原子的类金刚石碳膜，其中所述第一RF偏压是以约1800瓦至约2200瓦的功率和约40MHz至约162MHz的频率提供。
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公开(公告)号：CN112437971B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980047986.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： E·文卡塔苏布磊曼聂 , S·E·戈特海姆 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/027 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 描述了沉积高密度介电膜以用于图案化应用的技术。更具体来说，提供了处理基板的方法。所述方法包括使含有前驱物的气体混合物流动到处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有在静电卡盘上定位的基板。将基板维持在约0.1毫托(mTorr)与约10托(Torr)之间的压力下。通过将第一RF偏压施加到静电卡盘以在基板水平处产生等离子体，而在基板上沉积介电膜。介电膜具有在约1.5至约3的范围中的折射率。
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公开(公告)号：CN113936997A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111197853.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32 , G03F7/20
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN110622280A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880030287.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于-500MPa的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114729454B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN112889128B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980069906.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。
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公开(公告)号：CN110622280B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880030287.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01J37/32 , G03F7/20 , H01L21/033 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在
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公开(公告)号：CN114008761A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080046187.2
申请日：2020-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/033 , H01L21/66 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。处理腔室包括基板支撑件，并且边缘环围绕基板支撑件设置。边缘环包括选自由以下各项组成的群组的材料：石英、硅、交联的聚苯乙烯和二乙烯苯、聚醚醚酮、Al2O3和AlN。选择边缘环的材料以调节沉积在处理腔室中的基板上的硬模膜的特性。因此，具有期望膜特性的硬模膜可以被沉积在处理腔室中，而无需按比例增加到腔室的RF功率。
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公开(公告)号：CN112313362A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980041431.3
申请日：2019-06-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·E·戈特海姆 , E·文卡塔苏布磊曼聂 , P·曼纳 , A·B·玛里克
IPC: C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/26 , H01L21/02
Abstract: 本公开文本的实施例总体上涉及集成电路的制造。更特定而言，本文所述的实施提供用于沉积高品质间隙填充物的技术。一些实施例利用化学气相沉积、等离子体气相沉积、物理气相沉积及其组合来沉积所述间隙填充物。所述间隙填充物为高品质的且在性质方面类似于类似组成的块体材料。
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