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公开(公告)号:CN114008761A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202080046187.2
申请日:2020-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/033 , H01L21/66 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。处理腔室包括基板支撑件,并且边缘环围绕基板支撑件设置。边缘环包括选自由以下各项组成的群组的材料:石英、硅、交联的聚苯乙烯和二乙烯苯、聚醚醚酮、Al2O3和AlN。选择边缘环的材料以调节沉积在处理腔室中的基板上的硬模膜的特性。因此,具有期望膜特性的硬模膜可以被沉积在处理腔室中,而无需按比例增加到腔室的RF功率。