公开(公告)号：CN111602228B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201880086359.1

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·玛里克 ,  N·布赖尔

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  C07F7/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/324

Abstract: 公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

公开(公告)号：CN111602228A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201880086359.1

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·玛里克 ,  N·布赖尔

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  C07F7/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/324

Abstract: 公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

公开(公告)号：CN113939894B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202080041992.6

申请日：2020-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·K·萨布莱曼尼 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  J·F·萨默斯

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505

Abstract: 本文描述了具有改性表面材料的RF组件以改进耐化学性并减少处理腔室内的金属污染物。本文还公开了制造和使用所述RF组件的方法。本公开的一些实施例包含具有大于或等于75GPa的杨氏模量的基底材料。本公开的一些实施例具有改性表面材料，所述改性表面材料包含铝、镧和镁中的一种或多种。

公开(公告)号：CN113939894A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202080041992.6

申请日：2020-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·K·萨布莱曼尼 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  J·F·萨默斯

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505

Abstract: 本文描述了具有改性表面材料的RF组件以改进耐化学性并减少处理腔室内的金属污染物。本文还公开了制造和使用所述RF组件的方法。本公开的一些实施例包含具有大于或等于75GPa的杨氏模量的基底材料。本公开的一些实施例具有改性表面材料，所述改性表面材料包含铝、镧和镁中的一种或多种。

公开(公告)号：CN104169461A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013929.1

申请日：2013-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·汤普森 ,  P·K·纳万卡尔 ,  S·斯里尼瓦桑 ,  S·查特吉 ,  A·马耀 ,  K·马克苏德

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/483

Abstract: 在此提供的原子层沉积的设备与方法包含气体分配板材与至少一激光源，该激光源邻近该气体分配板材发射激光束，以活化来自该气体分配板材的气相物种。同样提供具有诸细长气体注入器端口的诸气体分配板材，其中沿着该等细长气体注入器的长度引导该至少一激光束。

公开(公告)号：CN117832071A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311645258.2

申请日：2018-12-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·玛里克 ,  N·布赖尔

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04

Abstract: 公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

公开(公告)号：CN116137930A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202180057838.2

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·萨布莱曼尼 ,  Y·郭 ,  S·A·法泽里 ,  N·帕塔克 ,  B·N·拉马穆尔蒂 ,  K·贝拉 ,  李晓璞 ,  P·A·克劳斯 ,  S·斯里尼瓦桑

IPC: H01L21/677

Abstract: 示例性基板处理系统可包括腔室主体，所述腔室主体限定传送区域。系统可包括第一盖板，所述第一盖板沿第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔口。系统可包括与穿过第一盖板限定的多个孔口的孔口数量相等的多个盖堆叠。系统可包括多个隔离器。多个隔离器中的隔离器可定位在多个盖堆叠中的每个盖堆叠与穿过第一盖板限定的多个孔口中的对应孔口之间。系统可包括多个介电板。多个介电板中的介电板可安置在多个隔离器中的每个隔离器上。