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公开(公告)号：CN114286906A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060416.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了隔离阀，以及包含隔离阀的腔室系统和使用隔离阀的方法。在一些实施例中，隔离阀可包括阀体和挡板组件。阀体可限定第一流体容积、第二流体容积和安置表面。挡板组件可包括设置在阀体内部的挡板，所述挡板具有与安置表面互补的挡板表面。挡板可在阀体内枢转至第一位置，使得挡板表面可远离安置表面，以允许在第一流体容积与第二流体容积之间的流体流动。挡板可在阀体内枢转至第二位置，使得挡板表面可靠近安置表面以形成非接触式密封，以限制在第一流体容积与第二流体容积之间的流体流动。
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公开(公告)号：CN116137930A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202180057838.2
申请日：2021-07-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 示例性基板处理系统可包括腔室主体，所述腔室主体限定传送区域。系统可包括第一盖板，所述第一盖板沿第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔口。系统可包括与穿过第一盖板限定的多个孔口的孔口数量相等的多个盖堆叠。系统可包括多个隔离器。多个隔离器中的隔离器可定位在多个盖堆叠中的每个盖堆叠与穿过第一盖板限定的多个孔口中的对应孔口之间。系统可包括多个介电板。多个介电板中的介电板可安置在多个隔离器中的每个隔离器上。
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公开(公告)号：CN107338423B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710545902.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/687
Abstract: 公开了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：壳体，所述壳体具有气体入口和正面；在所述壳体中的RF热电极，所述RF热电极具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对并且限定所述RF热电极的厚度；在所述壳体中的第一返回电极，所述返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第一表面相隔开以形成第一间隙；以及在所述壳体中的第二返回电极，所述第二返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第二表面相隔开以形成第二间隙，从而使得相对于所述第一间隙，所述第二间隙在所述RF热电极的相对侧上。
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公开(公告)号：CN109477207A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044489.4
申请日：2017-09-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在一个实施方案中，提供一种溅射喷淋头组件。所述溅射喷淋头组件包含面板，所述面板包含溅射表面以及与所述溅射表面相对的第二表面，所述溅射表面包含靶材料，其中多个气体通道从所述溅射表面延伸到所述第二表面。溅射喷淋头组件进一步包含定位成与所述面板的所述第二表面相邻的背板。所述背板包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述溅射喷淋头组件是具有由所述背板的所述第一表面与所述面板的所述第二表面限定的气室。所述溅射喷淋头组件进一步包含沿着所述背板的所述第二表面定位的一个或更多个磁电管。
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公开(公告)号：CN106783499A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611028706.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 描述了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包含具有RF热电极和返回电极的壳体。所述壳体包括界定流动路径的气体入口和正面。所述RF热电极包括基本上平行于所述流动路径定向的第一表面。所述返回电极包括第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流动路径定向并与所述RF热电极的第一表面相隔开以形成间隙。还描述了与所述等离子体源组件相结合的处理腔室和使用所述等离子体源组件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783499B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201611028706.4
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 描述了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包含具有RF热电极和返回电极的壳体。所述壳体包括界定流动路径的气体入口和正面。所述RF热电极包括基本上平行于所述流动路径定向的第一表面。所述返回电极包括第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流动路径定向并与所述RF热电极的第一表面相隔开以形成间隙。还描述了与所述等离子体源组件相结合的处理腔室和使用所述等离子体源组件的方法。
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公开(公告)号：CN109477219B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780045536.7
申请日：2017-08-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C14/50 , C23C14/34 , C23C14/56 , C23C14/18
Abstract: 本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系统减小沉积半导体基板所必要的时间，且减小处理半导体基板所需要的占用面积。在一个实现中，所述处理腔室包含设置在腔室主体中的气体分配平板、设置在所述腔室主体中的一个或更多个金属靶以及设置在所述气体分配平板和一个或更多个靶下方的基板支撑件。
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公开(公告)号：CN109983566A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780072019.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 一种用于以冷却板冷却气体分配组件的设备和方法。冷却板具有主体，该主体具有顶表面、外周、中心、内部区域和外部区域。穿过顶表面形成的多个通道。多个通道具有第一外部通道和第一内部通道，该第一外部通道具有一个或更多个第一外部通道区段，该第一外部通道经配置而使第一冷却流体从冷却流体入口流到冷却流体出口，该第一内部通道设置在该第一外部通道与该中心之间，该第一内部通道具有一个或更多个第一内部通道区段，该第一内部通道经配置而使第二冷却流体从冷却流体入口流至冷却流体出口，其中相邻区段中的流在相反方向上。
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公开(公告)号：CN107338423A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710545902.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/687
Abstract: 公开了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包括：壳体，所述壳体具有气体入口和正面；在所述壳体中的RF热电极，所述RF热电极具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对并且限定所述RF热电极的厚度；在所述壳体中的第一返回电极，所述返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第一表面相隔开以形成第一间隙；以及在所述壳体中的第二返回电极，所述第二返回电极具有第一表面，所述第一表面与所述RF热电极的所述第二表面相隔开以形成第二间隙，从而使得相对于所述第一间隙，所述第二间隙在所述RF热电极的相对侧上。
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公开(公告)号：CN113939894B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202080041992.6
申请日：2020-06-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/505
Abstract: 本文描述了具有改性表面材料的RF组件以改进耐化学性并减少处理腔室内的金属污染物。本文还公开了制造和使用所述RF组件的方法。本公开的一些实施例包含具有大于或等于75GPa的杨氏模量的基底材料。本公开的一些实施例具有改性表面材料，所述改性表面材料包含铝、镧和镁中的一种或多种。
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