-
公开(公告)号：CN118866672A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410859814.4
申请日：2020-04-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/768 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。
-
公开(公告)号：CN118251764A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280074724.3
申请日：2022-10-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/13 , H01L23/528 , H01L23/00
Abstract: 本揭示案关于用于形成薄外形尺寸半导体元件封装的方法及装置。在某些实施方式中，通过激光剥蚀将玻璃或硅基板图案化，以形成用于随后形成穿过其中的互连的结构。此后，基板被用作用于形成半导体元件封装的框架，半导体元件封装中可具有一或多个嵌入式双面裸片。在某些实施方式中，通过在基板上积层预结构化的绝缘膜，在基板之上形成绝缘层。绝缘膜可以通过激光剥蚀以在其中形成结构，随后选择性地固化所形成结构的侧壁，而预结构化。
-
公开(公告)号：CN115835936A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180048402.7
申请日：2021-06-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: B23K26/359
Abstract: 本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互连和/或放置在其中的一个或多个半导体管芯。本文描述的激光系统可产生用于在基板或其他封装结构中形成特征的可调谐激光束。具体地，激光束的频率、脉冲宽度、脉冲形状以及脉冲能量可基于图案化特征的期望大小和其中形成图案化特征的材料来调节。激光束的可调性使得在具有受控深度和形貌的半导体基板和封装中快速且准确地形成特征。
-
公开(公告)号：CN108140549B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201680058294.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
Abstract: 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
-
公开(公告)号：CN108140603A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058300.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/6719 , H01L21/68728 , H01L21/68785
Abstract: 提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108140542B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201680054443.6
申请日：2016-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。
-
公开(公告)号：CN108140542A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680054443.6
申请日：2016-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B7/0021 , B08B7/0035 , C11D11/0047 , F26B21/14 , H01L21/02101 , H01L21/6704 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67739 , H01L21/67748 , H01L21/68792
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。
-
公开(公告)号：CN110741471B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880039885.2
申请日：2018-06-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/28 , H01L21/027
Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。
-
公开(公告)号：CN116490971A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180071875.9
申请日：2021-10-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本公开涉及具有集成的电磁干扰(“EMI”)屏蔽件的薄形状因子半导体封装和用于其形成的方法。本文描述的封装可用于形成高密度半导体器件。在某些实施例中，硅基板经激光剥蚀以包括一个或多个空腔和围绕空腔的多个通孔。一个或多个半导体管芯可放置在空腔内并且此后在其上形成绝缘层之后嵌入基板中。多个导电互连形成在通孔内并且可具有再分布到管芯嵌入的基板组件的期望表面的接触点。此后，将EMI屏蔽件镀覆到管芯嵌入的基板组件的表面上并且通过一个或多个导电互连中的至少一者连接到接地。管芯嵌入的基板组件可随后切单和/或与另一半导体器件集成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.024 seconds)
