公开(公告)号：CN110382165A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880014288.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  拉杰夫·巴贾 ,  尼兰詹·库玛尔 ,  斯里斯卡塔拉贾赫·西里纳瓦卡拉苏 ,  阿尔文·桑德拉扬

IPC: B24B37/30 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及用于抛光具有高平整性的薄基板的系统、设备和方法。设备包括化学机械抛光头和板。抛光头包括底表面、扣环、在底表面与扣环之间限定的工件接收袋和至少一个真空口，真空口适于通过抛光头的底表面向工件接收袋提供真空。板设置在工件接收袋中，使得板的上侧面向抛光头的底表面，而板的下侧面向远离抛光头的底表面。板具有几何形状或材料性质，经配置以当在工件接收袋中施加真空时，允许流体通过板的上侧与下侧之间。

公开(公告)号：CN118043955A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280059677.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体装置和其制造方法。方法包括正面处理以形成深的源极/漏极空腔，并用牺牲材料填充空腔。然后在背侧处理过程中移除牺牲材料，以形成填充有金属填料的背侧电力轨通孔。

公开(公告)号：CN117916875A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059669.0

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体组件和其制造方法。提供硅晶片，并在硅晶片上形成埋入式蚀刻终止层。然后，使晶片接受组件和前端工艺。在前端工艺后，晶片经历了混合键结，然后晶片被薄化。为了薄化晶片，具有起始第一厚度的硅基板层被研磨成第二厚度，第二厚度比第一厚度小。在研磨之后，使硅晶片接受化学机械研磨(CMP)，然后进行蚀刻和CMP磨光，以将硅的厚度减少到第三厚度，第三厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：CN117941055A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059665.2

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/423

Abstract: 描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地，薄化基板，并形成电连接至金属的触点。

公开(公告)号：CN110741471B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880039885.2

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  罗曼·古科 ,  关惠见 ,  于谷 ,  阿尔文·桑德拉扬

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。

公开(公告)号：CN110741471A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201880039885.2

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  罗曼·古科 ,  关惠见 ,  于谷 ,  阿尔文·桑德拉扬

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。