公开(公告)号：CN118872066A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380022426.4

申请日：2023-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安德鲁·杨 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/775 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 描述半导体装置及制造所述半导体装置的方法。所述方法包括在源极/漏极下方及在全环绕栅极装置的栅极下方形成相异且单独的底部介电隔离层。选择性移除在源极/漏极下方的底部介电隔离层造成与源极/漏极外延更好的背侧电力轨(BPR)过孔对准并且减少可靠性及栅极短路问题。

公开(公告)号：CN118043955A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280059677.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体装置和其制造方法。方法包括正面处理以形成深的源极/漏极空腔，并用牺牲材料填充空腔。然后在背侧处理过程中移除牺牲材料，以形成填充有金属填料的背侧电力轨通孔。

公开(公告)号：CN117916875A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202280059669.0

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体组件和其制造方法。提供硅晶片，并在硅晶片上形成埋入式蚀刻终止层。然后，使晶片接受组件和前端工艺。在前端工艺后，晶片经历了混合键结，然后晶片被薄化。为了薄化晶片，具有起始第一厚度的硅基板层被研磨成第二厚度，第二厚度比第一厚度小。在研磨之后，使硅晶片接受化学机械研磨(CMP)，然后进行蚀刻和CMP磨光，以将硅的厚度减少到第三厚度，第三厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：CN118661251A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202380020843.5

申请日：2023-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 安德鲁·杨 ,  本杰明·科伦坡 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  阿希什·派欧

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体器件及其制造方法。所述方法包括在背侧上形成扩散中断开口并填充扩散中断材料以用作平坦化停止件。在一些实施例中，形成单扩散中断开口。在其他实施例中，形成混合扩散中断开口。

公开(公告)号：CN117941055A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059665.2

申请日：2022-09-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏克图·阿伦·帕里克 ,  阿希什·派欧 ,  埃尔·迈赫迪·巴齐兹 ,  安德鲁·杨 ,  妮琴·K·英吉 ,  阿尔文·桑德拉扬 ,  徐源辉 ,  马蒂纳斯·玛丽亚·贝尔肯斯 ,  萨梅尔·A·德什潘德 ,  B·普拉纳瑟提哈兰 ,  杨雁筑

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/18 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L29/423

Abstract: 描述了半导体装置和其制造方法。使用标准工艺流程制造晶体管。形成从基板的顶表面延伸至晶片装置的底表面的通孔开口，从而允许纳米TSV进行高密度封装，以及将装置连接至背侧电力轨。在通孔开口中沉积金属，并将晶片装置的底表面接合至接合晶片。任选地，薄化基板，并形成电连接至金属的触点。