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公开(公告)号：CN116207033A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310144800.X
申请日：2016-09-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
摘要： 提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。
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公开(公告)号：CN116206947A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211571621.6
申请日：2016-09-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
摘要： 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
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公开(公告)号：CN108140546B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201680057046.4
申请日：2016-09-13
申请人： 应用材料公司
摘要： 公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。
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公开(公告)号：CN113557589A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020204.5
申请日：2020-02-23
申请人： 应用材料公司
发明人： 柯蒂斯·莱施克斯 , 约翰内斯·F·斯温伯格 , 本杰明·科伦坡 , 史蒂文·韦尔韦贝克
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 于此描述的实施方案大体涉及在半导体基板上形成低k介电材料的方法。更具体地，于此描述的实施方案涉及在高压和低温下形成氧化硅膜的方法。形成氧化硅膜的方法包括以下步骤：将其上形成有含硅膜的基板装载到高压容器的处理区域中。方法进一步包括以下步骤：在含硅膜上形成氧化硅膜。在含硅膜上形成氧化硅膜的步骤包括以下步骤：将含硅膜在大于约1bar的压力下暴露于包括胺添加剂的氧化介质，并将高压容器保持在约100摄氏度和约550摄氏度之间的温度下。
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公开(公告)号：CN108474129A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079254.4
申请日：2016-12-19
申请人： 应用材料公司
摘要： 提供了用于处理硅基板的方法和装置。在某些实现方式中，所述方法可包含下列步骤：提供具有孔的硅基板，所述孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；以及通过使电流流经硅基板的背侧，将硅基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。
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公开(公告)号：CN108140546A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057046.4
申请日：2016-09-13
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01L21/02101 , B08B7/0021 , B08B7/0035 , F26B5/04 , F26B21/14 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/67034
摘要： 公开一种基板处理方法。该方法包含以下步骤：输送溶剂至处理腔室，且输送基板至该处理腔室。出现在该处理腔室中的溶剂的分量可经配置以浸没该基板。可输送液态CO2至该处理腔室且可将该液态CO2与该溶剂混合。可输送一分量大于该处理腔室的容积的额外液态CO2至该处理腔室，以置换该溶剂。可在该处理腔室中将该液态CO2相转变为超临界CO2，且可通过等温减压该处理腔室及自该处理腔室排出气体CO2来干燥该基板。
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公开(公告)号：CN107799391A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710840913.8
申请日：2013-11-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , B08B3/08 , B08B7/00
CPC分类号： H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67742
摘要： 本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。
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公开(公告)号：CN118251764A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280074724.3
申请日：2022-10-26
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/13 , H01L23/528 , H01L23/00
摘要： 本揭示案关于用于形成薄外形尺寸半导体元件封装的方法及装置。在某些实施方式中，通过激光剥蚀将玻璃或硅基板图案化，以形成用于随后形成穿过其中的互连的结构。此后，基板被用作用于形成半导体元件封装的框架，半导体元件封装中可具有一或多个嵌入式双面裸片。在某些实施方式中，通过在基板上积层预结构化的绝缘膜，在基板之上形成绝缘层。绝缘膜可以通过激光剥蚀以在其中形成结构，随后选择性地固化所形成结构的侧壁，而预结构化。
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公开(公告)号：CN108140549B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201680058294.0
申请日：2016-09-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
摘要： 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
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