公开(公告)号：CN110741471B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880039885.2

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  罗曼·古科 ,  关惠见 ,  于谷 ,  阿尔文·桑德拉扬

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。

公开(公告)号：CN110741471A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201880039885.2

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  史蒂文·韦尔韦贝克 ,  罗曼·古科 ,  关惠见 ,  于谷 ,  阿尔文·桑德拉扬

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/28 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。