公开(公告)号：CN104871305B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201380065251.1

申请日：2013-11-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 戈文达·瑞泽 ,  丹尼尔·马丁 ,  罗伯特·T·海拉哈拉 ,  阿西斯·巴哈特纳瓜 ,  波柏纳·瓦桑特 ,  普拉什安斯·饶 ,  卡泽拉·R·纳伦德瑞纳斯

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/68792

Abstract: 提供一种用于基板支撑件加热器及相关腔室部件的设备，所述基板支撑件加热器及相关腔室部件具有减少的能量损失。在一个实施方式中，提供一种基板支撑件加热器。所述基板支撑件加热器包括：加热器主体，具有接收基板的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；加热元件，被配置在加热器主体中且介于第一表面与第二表面之间；以及热阻挡层，被设置在加热器主体的第二表面上，其中热阻挡层包括第一层与第二层，所述第二层设置在所述第一层上。

公开(公告)号：CN106505013B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201610805599.5

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  泽田元司

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

Abstract: 一种可抑制颗粒产生的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。具有：处理衬底的处理容器；向处理容器供给处理气体的气体供给部；在处理容器内设置的衬底载置台；轴，其贯通在处理容器的底壁设置的孔、且在上部设置有衬底载置台；波纹管，其在处理容器的外侧以围绕轴的外周的方式构成、且将内侧空间与处理容器的空间连通；部件落下防止部，其在所述处理容器的底部，并且包括第一结构及第二结构且至少由第一结构及第二结构构成，第一结构沿孔的一部分构成，第二结构沿孔的其他部分构成且与第一结构相邻。

公开(公告)号：CN108538752A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810181692.2

申请日：2018-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 劳拉·郝勒查克 ,  柴塔尼亚·A·普拉萨德 ,  埃姆雷·库瓦利奇

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109 ,  B04B7/04 ,  F01L9/04 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67098

Abstract: 本文描述的实施方式大体涉及具有用于预加热处理气体的旋转器盖的处理设备。所述设备包括腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区的侧壁和底壁。所述腔室还包括设置在所述腔室主体的内部处理区中的基板支撑件、环支撑件和旋转器盖。所述旋转器盖设置在环支撑件上。所述旋转器盖是不透明石英材料。所述旋转器盖有利地提供更有效的处理气体加热，由能够承受处理条件同时提供更有效和均匀的处理的材料构成，且具有低CTE从而减少由于处理期间过度膨胀而导致的颗粒污染。

公开(公告)号：CN108417477A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810203165.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 斯克林集团公司

Inventor： 小林健司 ,  奥谷学

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/022 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供能抑制或防止图案的倒塌并使基板的表面良好地干燥的基板处理方法及装置。该方法包括：有机溶剂置换工序，将表面张力比在保持为水平姿势的基板的上表面附着的冲洗液的表面张力低的液体的有机溶剂向基板的上表面供给，以在基板上形成覆盖基板的上表面的有机溶剂的液膜，利用有机溶剂置换冲洗液；基板高温化工序，在形成有机溶剂的液膜后，使基板的上表面到达比有机溶剂的沸点更高的规定的第一温度，由此，在有机溶剂的液膜的整个区域，在有机溶剂的液膜和基板的上表面之间形成有机溶剂的蒸发气体膜，并且使有机溶剂的液膜浮起在有机溶剂的蒸发气体膜的上方；有机溶剂排除工序，将浮起的有机溶剂的液膜从基板的上表面的上方排除。

公开(公告)号：CN104342635B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201410350463.0

申请日：2014-07-22

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 李雄洙 ,  朴镇宇 ,  崔修赫

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L51/56

CPC classification number: C23C14/505 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3405 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

Abstract: 提供了种薄膜沉积装置,使用该装置的沉积方法,以及使用该装置制造有机发光显示装置的方法。薄膜沉积装置设置为包括腔室,该腔室包括基底安置在其上的基底保持装置、改变基底保持装置的旋转和倾斜角的旋转杆单元、以及供给用于在基底上形成薄膜的薄膜材料的靶单元。

公开(公告)号：CN108335996A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810039204.4

申请日：2018-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 福井祥吾 ,  内田范臣 ,  小原隆宪 ,  篠原英隆 ,  锦户修一 ,  浦智仁 ,  元山祐弥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B17/025 ,  B08B1/002 ,  B08B1/02 ,  B08B3/041 ,  B08B3/08 ,  B08B5/023 ,  B08B7/04 ,  F26B3/04 ,  F26B5/08 ,  F26B21/14 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/02057

Abstract: 提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。本发明防止由于基板的上表面的清洗中所使用的处理液而基板的下表面被污染。本发明在一边利用基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处理这两方结束时，控制部(18)先使处理液供给机构(73)对基板的上表面的处理液的供给结束，之后使处理液供给机构(71)对基板的下表面的处理液的供给结束。

公开(公告)号：CN108074839A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711066321.1

申请日：2017-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胁山辉史 ,  伊藤规宏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种能够防止在使基板和液体供给部上升时基板的背面被污染的基板处理装置。在升降销(22)和液体供给管(40)从与保持板(30)邻接的邻接位置向分离位置转移时，在第一上推构件(61)与升降销(22)连结的状态下第一上推构件(61)上升到预先设定的位置的期间，升降机构(60)只使升降销(22)上升。在第一上推构件(61)从预先设定的位置向分离位置上升的期间，升降机构(60)使升降销(22)和液体供给管(40)上升。

公开(公告)号：CN107735857A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680031819.1

申请日：2016-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·T·威弗尔 ,  R·B·沃派特 ,  J·尤多夫斯基 ,  J·M·舒浩勒

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 描述了用于在批处理腔室中对准大型基座的设备及方法。还描述了用于控制基座相对于气体分配组件的平行的设备及方法。

公开(公告)号：CN107706132A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710674081.7

申请日：2017-08-09

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 大卫·缪 ,  南森·马塞尔怀特 ,  迈克尔·拉夫金

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及用于处理晶片状物品的方法和装置，用于干燥晶片状物品的方法包括在旋转卡盘上旋转预先确定直径的晶片状物品，并将干燥液体分配到晶片状物品的一侧。干燥液体含有大于50质量％的有机溶剂。在分配步骤的至少一部分期间，用加热组件加热晶片状物品。在分配步骤的至少一部分期间，当干燥液体接触晶片状物品时，含氟化合物存在于干燥液体中或者干燥液体周围的气体中。

公开(公告)号：CN107667421A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680027285.5

申请日：2016-05-10

Applicant: 周星工程股份有限公司

Inventor： 金起范 ,  史胜晔 ,  禹览 ,  李明振 ,  崔承大 ,  崔鐘圣 ,  许浩范

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/683 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68714

Abstract: 基板处理装置的一个实施方式可包括：盘，所述盘设置为可旋转；布置在所述盘上的至少一个基座，基板被放置在所述基座的上表面上，随着所述盘旋转，所述基座旋转并以盘的中心为轴线回转；金属环，所述金属环与所述基座的下部连接，并布置为使所述金属环的中心与基座的中心重合；以及磁体，所述磁体基于所述盘的中心径向地布置在所述盘的下部，并设置为使所述磁体的至少一部分在上/下方向上与所述金属环相面对。