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公开(公告)号：CN114258581B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080057711.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本公开的基板处理装置(1)包括：液处理部(17)、干燥处理部(18)、输送部(16)以及气体供给部(124、35)。液处理部通过对基板(W)进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。
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公开(公告)号：CN110828332B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910716815.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种在使用超临界状态的处理流体使基片干燥的基片处理装置中，抑制因附着于处理流体的供给管线的颗粒喷出到处理空间而污染产品基片的技术。本发明的基片处理装置的颗粒除去方法包括：升压工序、流通工序和颗粒除去工序。升压工序在第二开闭阀和第三开闭阀关闭的状态下从第一供给管线对处理空间供给清洁化后的流体，从而使处理空间的压力上升。流通工序在升压工序后通过打开第二开闭阀和第三开闭阀，将处理流体从第二供给管线供给到处理空间并将其从排出管线排出。颗粒除去工序在升压工序中通过打开后关闭第二开闭阀，使得在第二供给管线内产生抵抗处理空间的压力的清洁化后的流体的流动。
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公开(公告)号：CN114258581A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202080057711.6
申请日：2020-08-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本公开的基板处理装置(1)包括：液处理部(17)、干燥处理部(18)、输送部(16)以及气体供给部(124、35)。液处理部通过对基板(W)进行液处理而使基板的表面润湿。干燥处理部配置在与液处理部不同的位置，用于进行使表面润湿的基板干燥的干燥处理。输送部从液处理部取出表面润湿的基板并将其向干燥处理部输送。气体供给部在从液处理部取出表面润湿的基板之后到在干燥处理部开始干燥处理为止的期间中的至少一部分的期间内，向表面润湿的基板的背面供给气体。
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公开(公告)号：CN106158704B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201610318738.1
申请日：2016-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。在使用通过将化学溶液和气体混合而生成的化学溶液的液滴将附着于基板的聚合物去除时，获得充分的去除性能。基板处理装置具有：第1喷嘴(41)，其用于将通过将由气体供给机构(71B)供给来的气体和由加热化学溶液供给机构(71A)供给来的加热后的化学溶液混合而形成的化学溶液的液滴朝向基板(W)的表面喷出；第2喷嘴(47)，其用于将由加热纯水供给机构(75)供给来的加热后的纯水朝向基板的背面喷出。第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从背面侧加热而温度上升了的基板的表面供给液滴。
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公开(公告)号：CN117747487A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311179542.5
申请日：2023-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制使用超临界状态的处理流体对基片进行处理的基片处理装置的处理容器内的颗粒的滞留的基片处理装置和基片处理方法。一个实施方式的基片处理装置包括：处理容器；供给管线；排出管线；设置在排出管线中的调节阀；和控制部，其能够通过调节调节阀的开度来控制处理容器内的压力，在处理容器内的压力被维持在处理流体能够维持超临界状态的压力范围内、且从供给管线向处理容器供给处理流体并且从处理容器排出处理流体的流通步骤中，控制部通过调节调节阀的开度，使降压阶段和升压阶段各执行至少1次，其中，降压阶段是使处理容器内的压力在所述压力范围内下降的阶段，升压阶段是使处理容器内的压力在所述压力范围内上升的阶段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115547879A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210717705.X
申请日：2022-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制微粒的增加。基板处理装置具备罐、循环线路、分支线路、处理部、排出部、供给部及控制部。所述控制部具有第一判定部、第一补充控制部、计算部及第二补充控制部。所述第一判定部判定所述罐内的所述处理液的贮存量是否小于下限值。在所述第一判定部判定为所述贮存量小于所述下限值的情况下，所述第一补充控制部通过所述供给部向所述罐补充所述处理液。所述计算部计算每设定时间通过所述供给部向所述罐补充所述处理液的补充量。在由所述计算部计算的所述补充量的计算值小于设定值的情况下，所述第二补充控制部通过所述排出部使所述罐的所述贮存量减少，并通过所述供给部向所述罐补充所述处理液。
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公开(公告)号：CN108335996A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810039204.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B17/025 , B08B1/002 , B08B1/02 , B08B3/041 , B08B3/08 , B08B5/023 , B08B7/04 , F26B3/04 , F26B5/08 , F26B21/14 , H01L21/02043 , H01L21/02052 , H01L21/02096 , H01L21/67017 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67253 , H01L21/68728 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , H01L21/67023 , H01L21/02057
Abstract: 提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。本发明防止由于基板的上表面的清洗中所使用的处理液而基板的下表面被污染。本发明在一边利用基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处理这两方结束时，控制部(18)先使处理液供给机构(73)对基板的上表面的处理液的供给结束，之后使处理液供给机构(71)对基板的下表面的处理液的供给结束。
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公开(公告)号：CN108335996B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201810039204.4
申请日：2018-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。本发明防止由于基板的上表面的清洗中所使用的处理液而基板的下表面被污染。本发明在一边利用基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处理这两方结束时，控制部(18)先使处理液供给机构(73)对基板的上表面的处理液的供给结束，之后使处理液供给机构(71)对基板的下表面的处理液的供给结束。
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公开(公告)号：CN118633142A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202380019176.9
申请日：2023-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福井祥吾
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的基片处理装置包括处理容器、流体供给部、加热机构、温度测量部和控制部，使用超临界流体使具有液膜的基片干燥。控制部获取在将基片送入处理容器的内部起至送出该基片为止的期间由温度测量部测量出的处理容器的内部的温度信息，存储将该温度信息与时间关联而得的温度时间数据。另外，控制部从所存储的温度时间数据提取温度调节对象期间的温度，基于温度调节对象期间的温度与预先保有的基准温度的比较，判断是否需要修正加热机构的设定温度，在判断为需要修正设定温度的情况下，根据修正后的设定温度来控制加热机构的输出。
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公开(公告)号：CN115565908A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210724170.9
申请日：2022-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福井祥吾
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够更可靠地防止在下表面附着有液体的基片被投入到干燥处理部的基片处理装置。本发明的基片处理装置包括：基片输送部，其用于输送上表面被处理液润湿的状态的基片；和干燥处理部，其用于使被所述处理液润湿的状态的所述基片干燥，所述干燥处理部包括：交接区域，其用于在与所述基片输送部之间进行所述基片的交接；和干燥区域，其用于进行所述基片的上表面的干燥处理，在所述交接区域设置有：基片支承部件，其能够将从所述基片输送部接收到的所述基片以水平姿态支承；和基片下表面干燥部，其能够通过向由所述基片支承部件支承的所述基片的下表面吹送气体来进行所述下表面的干燥。
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