公开(公告)号：CN118099022A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202311533776.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中庄谷孝仁 ,  松川贵之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理系统。提供有利于在基板之间均一地进行药液处理的技术。基板处理方法包括以下工序：药液处理工序，利用从药液供给部向基板的第一表面供给的药液进行第一表面的处理；以及基板加热工序，通过在开始向基板的第一表面的药液的供给之前开始向基板的第二表面的加热流体的供给，来对基板进行加热，其中，根据不从药液供给部连续喷出药液的药液喷出待机时间，来调整向第一表面供给的药液和向第二表面供给的加热流体中的至少任一方的温度。

公开(公告)号：CN115394682A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210534474.9

申请日：2022-05-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 东博之 ,  中村彻 ,  筱原和义 ,  中庄谷孝仁

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/10

Abstract: 本发明提供能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括多个液处理模块。多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理。液处理模块具有液处理单元、热源区域和风扇。液处理单元用于对基片进行液处理。热源区域在液处理单元的下方具有热源。风扇用于对热源区域进行冷却。

公开(公告)号：CN115547879A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210717705.X

申请日：2022-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小佐井一树 ,  有动英明 ,  藤本诚也 ,  高永悠大 ,  中庄谷孝仁 ,  福井祥吾 ,  穴本笃史 ,  长田创

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制微粒的增加。基板处理装置具备罐、循环线路、分支线路、处理部、排出部、供给部及控制部。所述控制部具有第一判定部、第一补充控制部、计算部及第二补充控制部。所述第一判定部判定所述罐内的所述处理液的贮存量是否小于下限值。在所述第一判定部判定为所述贮存量小于所述下限值的情况下，所述第一补充控制部通过所述供给部向所述罐补充所述处理液。所述计算部计算每设定时间通过所述供给部向所述罐补充所述处理液的补充量。在由所述计算部计算的所述补充量的计算值小于设定值的情况下，所述第二补充控制部通过所述排出部使所述罐的所述贮存量减少，并通过所述供给部向所述罐补充所述处理液。

公开(公告)号：CN115332110A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210470429.1

申请日：2022-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中庄谷孝仁

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：基板保持部，其具备圆盘状的基座构件和多个保持构件，所述基板保持部将基板保持为水平姿势；旋转驱动部，其以使基板保持部绕铅垂轴线旋转的方式对基板保持部进行旋转驱动；处理液喷嘴，其向保持于基板保持部的基板供给处理液；吹扫气体喷嘴，其向形成在保持于基板保持部的基板的下表面与基座构件的上表面之间的基板下方空间内喷出吹扫气体；吹扫气体流量控制设备，其控制从吹扫气体喷嘴喷出的吹扫气体的流量；以及控制部。控制部控制气体流量控制设备的动作，以从吹扫气体喷嘴向基板下方空间内以抵消伴随保持有基板的基板保持部的旋转而在基板下方空间内产生的负压的流量喷出吹扫气体。