公开(公告)号：CN114762099A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080081984.4

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥 ,  B·斯托纳斯 ,  J·德尔马斯

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

公开(公告)号：CN113382535A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110256865.4

申请日：2021-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·莱斯彻基什 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  G·帕克 ,  K·赵 ,  J·L·富兰克林 ,  类维生

IPC: H05K1/14 ,  H01L23/52

Abstract: 本公开内容总体上涉及堆叠的小型化电子装置及其形成方法。更具体地，本文描述的实施例涉及半导体装置间隔件及其形成方法。本文描述的半导体装置间隔件可以用于形成堆叠的半导体封装组件、堆叠的PCB组件等等。

公开(公告)号：CN111868920A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980019163.5

申请日：2019-02-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  R·胡克 ,  K·赵 ,  傅博诣

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 一种电子器件封装制造的方法，包括：将平坦化液体分配至从基板突出的相邻特征之间的区域中。该平坦化液体随后经处理以在相邻特征之间的区域中提供硬化、基本上固体的材料。一些示例中，平坦化液体能够是用在形成多阶层重分布层中的介电材料或是用于封装半导体芯片的封装树脂材料。示例的平坦化设备包括基板支撑件、液体分配系统、硬化系统、及平坦元件系统，该液体分配系统配置成将平坦化液体分配至基板上，该硬化系统用于硬化该平坦化液体，该平坦元件系统用于压入该平坦化液体中。

公开(公告)号：CN116058082A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202180051305.3

申请日：2021-08-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·查克拉博蒂 ,  S·文哈弗贝克 ,  陈翰文 ,  C·布赫 ,  P·古拉迪雅 ,  朴起伯 ,  K·赵

IPC: H05K3/38

Abstract: 描述了形成电路板的方法和使用粘附层的电路板。将具有两个表面的基板暴露于双官能有机化合物，以在第一基板表面上形成粘附层。随后在粘附层和暴露的基板表面上沉积树脂层。可移除树脂层的一部分以暴露用于接触的金属衬垫。

公开(公告)号：CN117561587A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280024508.8

申请日：2022-04-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 类维生 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  T·查克拉博蒂 ,  陈翰文 ,  S·文哈弗贝克

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开关于用于先进晶片级半导体封装中的互连的微通孔结构。本文所述的方法能够形成具有改进的均匀性的高质量、低深宽比微通孔结构，从而促进具有高I/O密度以及改进的带宽和功率的薄且小形状因子半导体器件。

公开(公告)号：CN114787989A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080082028.8

申请日：2020-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  K·赵 ,  K·莱斯彻基什 ,  R·胡克 ,  C·布赫 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/525 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

Abstract: 本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中，并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后，硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。