公开(公告)号：CN113811994A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080034788.1

申请日：2020-04-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开关于用于形成薄形状系数半导体封装的方法及设备。在一个实施例中，通过微喷或激光烧蚀来构造玻璃或硅基板，以形成用于通过基板而形成互连的结构。而后，将基板用作框架以形成其中具有嵌入式晶粒的半导体封装。

公开(公告)号：CN113795910A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080034003.0

申请日：2020-05-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  徐源辉 ,  朴起伯 ,  G·切莱雷 ,  D·托尼尼 ,  V·迪卡普里奥 ,  曹圭一

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开内容涉及薄的外形因数的重构基板及其形成方法。本文所述的重构基板可用于制造同质或异质的高密度3D集成器件。在一个实施例中，通过直接激光图案化将硅基板结构化成包括一个或多个腔和一个或多个通孔。可将相同或不同类型的一个或多个半导体管芯放置在腔内，然后在其上形成绝缘层之后将其嵌入基板中。在通孔中形成一个或多个导电互连，并且所述一个或多个导电互连可具有重新分配到重构基板的期望表面的接触点。然后，可将重构基板整合到堆叠式3D器件中。