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公开(公告)号：CN116210079A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180059631.9
申请日：2021-07-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： P·利安托 , 朱仕兴 , 洪士超 , 颜斌然 , R·F·文卢安 , G·梅塔 , R·奇丹巴拉姆 , 徐源辉 , A·桑达拉江 , U·V·乌姆萨拉 , 丘伟豪 , M·A·D·B·阿布杜拉 , M·C·库特内 , M·M·怀利 , A·L·阿萨德 , G·T·莫瑞
IPC: H01L21/768
Abstract: 使用对于多个工艺工具的集中式控制框架执行背侧通孔显露工艺的方法和设备。在一些实施例中，一种用于执行背侧通孔显露工艺的方法可包括：由中央控制器从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具接收工艺工具操作参数；从背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的至少一者或多者接收传感器计量数据；并且至少部分地基于工艺工具操作参数和传感器计量数据，通过调整背侧通孔显露工艺中涉及的工艺工具中的两者或更多者来修改背侧显露工艺。轮廓参数被配置成防止在化学机械抛光(CMP)工艺期间的背侧通孔断裂。
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公开(公告)号：CN110520975A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880025693.6
申请日：2018-04-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/321 , H01L21/768 , H01L23/28
Abstract: 一种使用化学机械平坦化(CMP)的扇出处理，降低介于半导体管芯与重新组成的晶片周围包覆成型之间的台阶高度。重新组成的晶片通过对至少一个管芯的背侧包覆成型而形成，所述至少一个管芯放置为有源侧面向下。重新组成的晶片接着定向以暴露管芯以及有源侧。接着在重新组成的晶片上形成聚合物层。CMP工艺接着移除聚合物层的一部分，直到获得管芯表面上方的特定厚度，而降低介于管芯表面的顶部上的聚合物层与邻接成型复合表面上的聚合物层之间的台阶高度。还可在重新组成的晶片上形成后续重新分配层之后执行CMP工艺。
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公开(公告)号：CN113874987A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038429.3
申请日：2020-06-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , C09G1/02 , C09K3/14
Abstract: 本公开的实施例总体涉及基板上的表面和在基板上形成的层上的表面的平面化。更具体地，本公开的实施例涉及用于先进封装应用的基板上的表面(诸如聚合材料层的表面)的平面化。在一个实施方式中，方法包括在第一抛光工艺期间在存在研磨浆料的情况下抵靠抛光表面机械研磨基板表面，以移除在基板上形成的材料的一部分；以及随后在第二抛光工艺期间在存在抛光浆料的情况下抵靠抛光表面化学机械抛光基板表面，以减少由第一抛光工艺造成的任何粗糙度或不平坦。
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公开(公告)号：CN113348544A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202080009732.0
申请日：2020-01-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 一种处理基板的方法，包括：在基板的顶上沉积未固化的聚合物材料的层，以覆盖基板上的暴露导电层；使用光刻处理暴露层的至少一个区域；在光刻处理中显影层以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第一部分；通过干式蚀刻处理蚀刻层，以从至少一个区域移除未固化的聚合物材料的第二部分，以暴露导电层的顶表面并在层中形成通孔；以及固化层以形成固化的聚合物材料。
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公开(公告)号：CN112930594A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201980069887.0
申请日：2019-10-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/00 , H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本文提供例如在基板级封装中使用的用于粘合基板的方法。在一些实施例中，一种用于粘合基板的方法包括：执行电化学沉积(ECD)以在第一基板和第二基板中的每一者上沉积至少一种材料；在第一基板和第二基板上执行化学机械抛光(CMP)以在第一基板和第二基板中的每一者上形成粘合界面；将第一基板定位在第二基板上，使得第一基板上的粘合界面与第二基板上的粘合界面对齐；以及使用第一基板上的粘合界面和第二基板上的粘合界面来将第一基板粘合至第二基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106019A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911022264.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 公开了用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备。用于在衬底上产生精细间距图案化的方法和设备。在载体或无载体的衬底上完成所述衬底的翘曲校正。通过将所述衬底的温度升高到第一温度且保持为所述第一温度和将所述无载体的衬底冷却到第二温度来对所述衬底执行第一翘曲校正工艺。然后执行进一步晶片级封装处理，诸如在所述衬底上的聚合物层中形成通孔。然后通过将所述衬底的温度升高到第三温度且保持为所述第三温度和将所述衬底冷却到第四温度来在所述衬底上执行第二翘曲校正工艺。随着所述衬底的所述翘曲减小，可以用2/2μm l/s精细间距图案化来在所述衬底上形成再分布层。
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公开(公告)号：CN118401823A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280079567.5
申请日：2022-12-06
Abstract: 本文提供了用于处理第一基板和第二基板的方法和装置。例如，使用扩展的光谱椭圆偏振测量法(ESE)处理基板的方法包括：将射束从扩展的光谱椭圆偏振仪朝向第一基板的第一表面和与第一基板不同的第二基板的第二表面进行引导；确定在处理第一基板和第二基板期间来自第一表面和第二表面中的每一者的原位ESE数据；测量所确定的原位ESE数据的相位和幅度的改变；以及同时使用复介电函数、光传导性、以及与原位ESE数据的相位和幅度的所测量改变的电子互相关来确定第一基板的第一表面和第二基板的第二表面的一个或多个参数。
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公开(公告)号：CN111226310B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201980004903.8
申请日：2019-09-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/12 , H01L23/485 , H01L21/3065 , H01L21/304
Abstract: 本文描述用于处理半导体基板的方法的实施例。在一些实施例中，处理半导体基板的方法包括以下步骤：从具有多个管芯的重构基板的背侧移除材料，以暴露多个管芯中的至少一个管芯；蚀刻重构基板的背侧，以从暴露的至少一个管芯移除材料；以及在重构基板的背侧和暴露的至少一个管芯上沉积第一材料层。
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公开(公告)号：CN109659229A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811178012.8
申请日：2018-10-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , B24B37/04 , B24B37/10
Abstract: 可以用臭氧气体或用去离子水和臭氧气体处理基板上的聚合物层，以提高在化学机械抛光(CMP)工艺中所述聚合物层的去除速率。所述臭氧气体可以直接地扩散到所述聚合物层中或穿过所述聚合物层的表面上的去离子水薄层扩散到所述聚合物层中。还可以在所述工艺期间加热所述去离子水，以进一步增强所述臭氧气体向所述聚合物层中的所述扩散。
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公开(公告)号：CN119768920A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380062057.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/544 , H01L23/00 , H01L21/67
Abstract: 一种用于形成对准标记的方法利用垫密度和临界尺寸(CD)。在一些实施例中，所述方法包括在第一基板和第二基板上形成第一对准标记和第二对准标记，其中所述对准标记具有在相应基板上的铜垫的相关联CD的5％内的宽度，以及在第一对准标记和第二对准标记周围形成第一虚设图案和第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案具有在第一基板和第二基板的相应铜垫密度的5％内的虚设图案密度和在相应铜垫CD的5％内的CD。在一些实施例中，在相对基板表面上具有实体介电材料突起和凹槽的对准标记可进一步增强粘合。
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