公开(公告)号：CN113874987A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080038429.3

申请日：2020-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈翰文 ,  S·文哈弗贝克 ,  T·查克拉博蒂 ,  P·利安托 ,  P·S·古拉迪雅 ,  徐源辉 ,  朴起伯 ,  C·布赫 ,  P·G·甘 ,  A·洪

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 本公开的实施例总体涉及基板上的表面和在基板上形成的层上的表面的平面化。更具体地，本公开的实施例涉及用于先进封装应用的基板上的表面(诸如聚合材料层的表面)的平面化。在一个实施方式中，方法包括在第一抛光工艺期间在存在研磨浆料的情况下抵靠抛光表面机械研磨基板表面，以移除在基板上形成的材料的一部分；以及随后在第二抛光工艺期间在存在抛光浆料的情况下抵靠抛光表面化学机械抛光基板表面，以减少由第一抛光工艺造成的任何粗糙度或不平坦。