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公开(公告)号：CN119563232A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380053507.0
申请日：2023-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L23/00
Abstract: 用于接合半导体表面的方法利用混合接合工艺来实现异质集成架构。在一些实施例中，所述方法可以包括在硅基基板上形成半导体结构，所述半导体结构具有在半导体结构的顶表面上的第一组暴露的导电连接。第一组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。形成具有第二组暴露的导电连接的先进矩形基板面板。第二组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。使用混合接合工艺将半导体结构的顶表面接合到先进矩形基板面板的顶表面，以将半导体结构接合到先进矩形基板面板。
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