公开(公告)号：CN116848629A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280013740.1

申请日：2022-02-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·A·哈利斯 ,  C·S·格鲁夫 ,  P·Z·沃斯 ,  A·尚塔拉姆 ,  A·伊尔玛兹 ,  A·尼桑 ,  J·R·比姆吉亚尼 ,  N·平格尔 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文提供将小芯片接合至基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：设备前端模块(EFEM)，所述设备前端模块(EFEM)具有用于接收一种或多种类型的基板的一个或多个载入口；以及多个自动化模块，所述多个自动化模块彼此耦接并具有耦接至EFEM的第一自动化模块，其中多个自动化模块中的每一者包括传送腔室和耦接至传送腔室的一个或多个处理腔室，其中传送腔室包括被配置成保持多个一种或多种类型的基板的缓冲器，并且其中传送腔室包括传送机器人，所述传送机器人被配置成在缓冲器、一个或多个处理腔室、以及设置在多个自动化模块中的相邻自动化模块中的缓冲器之间传送一种或多种类型的基板。

公开(公告)号：CN118435340A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280085303.0

申请日：2022-12-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·S·格鲁夫 ,  王瑞萍 ,  A·尚塔拉姆 ,  J·R·比姆吉亚尼

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本文提供装备前端模块(EFEM)的实施例。在一些实施例中，EFEM包括：两个或更多个装载口，两个或更多个装载口用于接收两个或更多个类型的基板；高架存储单元，高架存储单元具有多个存储架，多个存储架设置在两个或更多个装载口上方且被配置为固持两个或更多个类型的不同尺寸的前开式标准舱(FOUP)，两个或更多个类型的FOUP分别存储两个或更多个类型的基板，其中在多个存储架和两个或更多个装载口之间设置水平过道，以在运输至两个或更多个装载口期间为FOUP提供水平通路；以及高架运输系统，高架运输系统具有一对垂直致动器，所述对垂直致动器设置于高架存储单元的相对侧上且被配置为将FOUP从高架存储单元运输至两个或更多个装载口。

公开(公告)号：CN119563232A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380053507.0

申请日：2023-07-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·潘乔里 ,  M·L·伯恩特 ,  R·P·许默勒 ,  A·尚塔拉姆 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L23/00

Abstract: 用于接合半导体表面的方法利用混合接合工艺来实现异质集成架构。在一些实施例中，所述方法可以包括在硅基基板上形成半导体结构，所述半导体结构具有在半导体结构的顶表面上的第一组暴露的导电连接。第一组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。形成具有第二组暴露的导电连接的先进矩形基板面板。第二组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。使用混合接合工艺将半导体结构的顶表面接合到先进矩形基板面板的顶表面，以将半导体结构接合到先进矩形基板面板。

公开(公告)号：CN118160080A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072000.5

申请日：2022-10-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·A·哈里斯 ,  C·S·格鲁夫 ,  P·Z·沃斯 ,  A·尚塔拉姆 ,  A·伊尔玛兹 ,  A·尼桑 ,  J·R·比姆吉亚尼 ,  N·平格尔 ,  V·迪卡普里奥

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00 ,  H01L21/687

Abstract: 本文提供用于将小芯片接合至基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理工具包括：第一装备前端模块(EFEM)和第二EFEM，第一EFEM具有用于接收一个或多个类型的基板的一个或多个装载口，并且第二EFEM具有一个或多个装载口；以及多个大气模块化主机(AMM)，彼此耦接并具有耦接至第一EFEM的第一AMM和耦接至第二EFEM的最终AMM，其中多个AMM中的每一者包括转移腔室和耦接至所述转移腔室的一个或多个工艺腔室，其中转移腔室包括缓冲器，并且其中转移腔室包括转移机器人、一个或多个工艺腔室，以及设置在所述多个AMM中的相邻AMM中的缓冲器。