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公开(公告)号：CN113748227B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202080030601.0
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李
IPC: C23C16/517 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/683
Abstract: 本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
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公开(公告)号：CN117702090A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311711345.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/509
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
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公开(公告)号：CN116525400A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310691393.4
申请日：2019-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , V·S·C·帕里米 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
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公开(公告)号：CN113748227A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202080030601.0
申请日：2020-04-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , V·S·C·帕里米 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李
IPC: C23C16/517 , C23C16/505 , C23C16/503 , C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/683
Abstract: 本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
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公开(公告)号：CN117529575A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280042368.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , R·黄 , A·A·哈贾 , A·班塞尔 , 李铜衡 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , T·A·恩古耶 , S·河 , A·M·帕特尔 , R·林杜尔派布恩 , K·嘉纳基拉曼 , K·D·李
IPC: C23C16/44
Abstract: 处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111434799B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202010041965.0
申请日：2020-01-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
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公开(公告)号：CN111261487B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201911214538.1
申请日：2019-12-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·A·哈贾 , V·S·C·帕里米 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , V·K·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计。本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
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公开(公告)号：CN114868238A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080090318.7
申请日：2020-12-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。
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公开(公告)号：CN113994463A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080041770.4
申请日：2020-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 胡良发 , A·A·哈贾 , S·M·博贝克 , P·K·库尔施拉希萨 , Y·铃木
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687 , H02N13/00 , B23Q3/15 , C23C16/458
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于在半导体装置处理期间减少基板背侧损伤的设备和方法。在一个实施方案中，一种在基板处理腔室中吸附基板的方法包括以下步骤：在将吸附电压施加到基板支撑件之前将基板暴露于等离子体预热处置。在一个实施方案中，提供了一种基板支撑件，并且所述基板支撑件包括主体，所述主体具有设置在其中的电极和热控制装置。多个基板支撑特征形成在主体的上表面上，基板支撑特征中的每一个基板支撑特征具有基板支撑表面和圆形边缘。
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