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公开(公告)号：CN114207771B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202080056247.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
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公开(公告)号：CN116868301A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202180076860.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 吴飞 , A·A·哈贾 , S·哈 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , V·普拉巴卡尔
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性处理方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的远程区域中形成清洁前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将清洁前驱物的等离子体流出物流动到半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件与等离子体流出物接触达第一时间段。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件从第一位置降低至第二位置，同时继续流动清洁前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括以下步骤：清洁半导体处理腔室的处理区域达第二时间段。
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公开(公告)号：CN115552581A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180034168.2
申请日：2021-04-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·钱德拉塞卡尔 , S·拉达克里什南 , R·K·L·希里亚纳亚 , V·卡尔塞卡尔 , V·普拉巴卡尔
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的腔室主体。所述系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定穿过盖板的第一多个孔和穿过盖板的第二多个孔。所述系统可包括与穿过盖板限定的第一多个孔中的孔数量相等的多个盖堆叠。多个盖堆叠中的每个盖堆叠可包括沿着阻流板的第一表面安置在盖板上的阻流板。阻流板可限定与第一多个孔中的相关联的孔轴向对准的第一孔。阻流板可限定与第二多个孔中的相关联的孔轴向对准的第二孔。
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公开(公告)号：CN115443528A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030923.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , C23C16/455 , B25J15/00 , B25J15/06 , B25J11/00
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。所述系统可以包括限定与多个处理区域流体耦合的转移区域的转移区域外壳。所述系统可以包括多个基板支撑件，并且多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域与多个处理区域中的相关联的处理区域之间垂直平移。所述系统可以包括转移装置，所述转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置可包括与可旋转轴耦接的终端受动器。终端受动器可包括限定与净化源流体耦接的中央孔的中央毂。终端受动器还可以包括多个臂，所述多个臂具有与多个基板支撑件的基板支撑件数量相等的臂数量。
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公开(公告)号：CN114127887B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202080050639.4
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传递区域的腔室主体。系统可以包括第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上，并且限定穿过该板的多个孔。第一盖板还可在每个孔周围限定凹进的突出部分。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠的数量等于多个孔中的孔的数量。每个盖堆叠可以安置在第一盖板的分离的凹进的突出部分上的第一盖板上。多个盖堆叠可至少部分地限定从传递区域垂直偏移的多个处理区域。系统还可以包括与多个盖堆叠耦接的第二盖板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110914954B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201880030307.2
申请日：2018-05-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。
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公开(公告)号：CN114868238A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080090318.7
申请日：2020-12-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。
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公开(公告)号：CN110914954A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880030307.2
申请日：2018-05-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。
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公开(公告)号：CN114207771A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056247.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
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公开(公告)号：CN114127887A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080050639.4
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传递区域的腔室主体。系统可以包括第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上，并且限定穿过该板的多个孔。第一盖板还可在每个孔周围限定凹进的突出部分。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠的数量等于多个孔中的孔的数量。每个盖堆叠可以安置在第一盖板的分离的凹进的突出部分上的第一盖板上。多个盖堆叠可至少部分地限定从传递区域垂直偏移的多个处理区域。系统还可以包括与多个盖堆叠耦接的第二盖板。
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