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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112041967B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN114207771B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202080056247.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
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公开(公告)号：CN120048727A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510100174.3
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/033 , C23C16/50 , C23C16/26 , C23C16/04 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN114207771A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056247.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种处理腔室可以包括气体分布构件、金属环构件和隔离组件，所述金属环构件位于气体分布构件下方，所述隔离组件与金属环构件耦接并将金属环构件与气体分布构件隔离。隔离组件可以包括与金属环构件耦接的外隔离构件。外隔离构件可以至少部分地限定腔室壁。隔离组件可以进一步包括与外隔离构件耦接的内隔离构件。内隔离构件可以围绕处理腔室的中心轴线相对于金属环构件设置在径向内部。内隔离构件可以限定多个开口，所述多个开口被配置为提供进入金属环构件与内隔离构件之间的径向间隙的流体进出口。
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公开(公告)号：CN112041967A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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