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公开(公告)号：CN112041967B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980028076.6
申请日：2019-03-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·S·权 , P·K·库尔施拉希萨 , K·D·李 , B·阿夫扎尔 , S·哈 , V·K·普拉巴卡尔 , V·卡尔塞卡尔 , S·托卡奇丘 , 爱德华四世·P·哈蒙德
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/311 , H01L21/033
Abstract: 在一个或多个实施例中，一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括：将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度；以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些示例中，温度在从约300℃至约700℃的范围内，并且RF功率大于3kW至约7kW。方法还包括使烃前驱物流动到工艺腔室内的等离子体中，并且以大于5000/min(诸如高达约10000/min或更快)的速率在基板上形成碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN115803859A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180044779.5
申请日：2021-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·卡尔塞卡尔
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可包括限定转移区域的腔室主体。系统可包含第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上。第一盖板可限定穿过第一盖板的多个孔。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠等于多个孔中的孔的数量。多个盖堆叠可至少部分地限定从转移区域垂直偏移的多个处理区域。系统可包括与多个盖堆叠耦接的第二盖板。多个盖堆叠可以位于第一盖板和第二盖板之间。多个盖堆叠中的每个盖堆叠的部件可以与第二盖板耦接。
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公开(公告)号：CN112041480A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028655.0
申请日：2019-04-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明的实施例总体上涉及在厚膜沉积期间在等离子体处理腔室中减少电弧的装置。在一个实施例中，当在基板上沉积厚(大于两微米)层时，使用包括比基板的外径大约0.28英寸至约0.38英寸的内径的边缘环。层可以是介电层，诸如碳硬掩模层，例如非晶碳层。由于在厚层的沉积期间，在基板的外边缘和边缘环的内边缘之间的0.14英寸至0.19英寸的间隙，因此在维持层厚度均匀性的同时减少了基板支撑表面的电弧。
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公开(公告)号：CN113874548B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202080038428.9
申请日：2020-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/505 , H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 一种基板底座，包括：导热基板支撑件，导热基板支撑件包括网格；导热杆，导热杆中包括多个导通棒，各个导通棒具有第一端及第二端；以及传感器。各个导通棒的第一端电气耦合至网格，且传感器布置于各个导通棒的第一端及第二端之间，且配置成检测流过各个导通棒的电流。
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公开(公告)号：CN116529865A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180080500.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·卡尔塞卡尔
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可包括限定移送区域的腔室主体。系统可包括盖板，所述盖板沿盖板的第一表面搁置在腔室主体上。盖板可限定穿过盖板的多个孔隙。盖板可进一步限定围绕盖板的第一表面中的多个孔隙中的每个孔隙的凹槽。每个凹槽可部分地延伸穿过盖板的厚度。系统可包括多个盖堆叠，所述多个盖堆叠与多个孔隙的孔隙数量相等。每个凹槽可容纳多个盖堆叠中的所述盖堆叠中的一者的至少一部分。多个盖堆叠可至少部分地限定垂直偏离移送区域的多个处理区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115552581A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180034168.2
申请日：2021-04-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·钱德拉塞卡尔 , S·拉达克里什南 , R·K·L·希里亚纳亚 , V·卡尔塞卡尔 , V·普拉巴卡尔
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的腔室主体。所述系统可包括安置在腔室主体上的盖板。盖板可限定穿过盖板的第一多个孔和穿过盖板的第二多个孔。所述系统可包括与穿过盖板限定的第一多个孔中的孔数量相等的多个盖堆叠。多个盖堆叠中的每个盖堆叠可包括沿着阻流板的第一表面安置在盖板上的阻流板。阻流板可限定与第一多个孔中的相关联的孔轴向对准的第一孔。阻流板可限定与第二多个孔中的相关联的孔轴向对准的第二孔。
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公开(公告)号：CN115443528A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030923.X
申请日：2021-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687 , C23C16/455 , B25J15/00 , B25J15/06 , B25J11/00
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。所述系统可以包括限定与多个处理区域流体耦合的转移区域的转移区域外壳。所述系统可以包括多个基板支撑件，并且多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域与多个处理区域中的相关联的处理区域之间垂直平移。所述系统可以包括转移装置，所述转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置可包括与可旋转轴耦接的终端受动器。终端受动器可包括限定与净化源流体耦接的中央孔的中央毂。终端受动器还可以包括多个臂，所述多个臂具有与多个基板支撑件的基板支撑件数量相等的臂数量。
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公开(公告)号：CN114127887B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202080050639.4
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传递区域的腔室主体。系统可以包括第一盖板，第一盖板沿着第一盖板的第一表面安置在腔室主体上，并且限定穿过该板的多个孔。第一盖板还可在每个孔周围限定凹进的突出部分。系统可以包括多个盖堆叠，多个盖堆叠的数量等于多个孔中的孔的数量。每个盖堆叠可以安置在第一盖板的分离的凹进的突出部分上的第一盖板上。多个盖堆叠可至少部分地限定从传递区域垂直偏移的多个处理区域。系统还可以包括与多个盖堆叠耦接的第二盖板。
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公开(公告)号：CN117612918A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311588325.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于工艺腔室的基板支撑件以及与其一起使用的RF接地配置。还描述了将RF电流接地的方法。腔室主体至少部分地在其中界定工艺容积。第一电极设置在工艺容积中。基座与第一电极相对地设置。第二电极设置在基座中。RF滤波器通过导电杆耦接到第二电极。RF滤波器包括耦接到导电杆和接地的第一电容器。RF滤波器还包括耦接到馈通箱的第一电感器。馈通箱包括以串联耦接的第二电容器和第二电感器。用于第二电极的直流(DC)功率供应器耦接在第二电容器和第二电感器之间。
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公开(公告)号：CN116034461A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180057227.8
申请日：2021-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： N·帕塔克 , V·K·普拉巴卡尔 , B·N·拉马穆尔蒂 , V·卡尔塞卡尔 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/67
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括多个处理区域。该系统可以包括限定与多个处理区域流体耦接的转移区域的转移区域外壳。该系统可包括多个基板支撑件。多个基板支撑件中的每个基板支撑件可以在转移区域和多个处理区域的相关处理区域之间垂直平移。该些系统可以包括转移装置，该转移装置包括延伸穿过转移区域外壳的可旋转轴。转移装置还可包括与可旋转轴耦接的端执行器。该些系统可以包括排气前级管道，该排气前级管道包括多个前级管道尾部。多个前级管道尾部中的每个前级管道尾部可以与多个处理区域中的单独的处理区域流体耦接。系统可包括多个节流阀。
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