公开(公告)号：CN117980532A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180102524.X

申请日：2021-08-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·霍 ,  赵来 ,  马诺哈拉·拉詹纳 ,  孙光伟 ,  许光秀 ,  苏宗辉

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458

Abstract: 一种沉积室系统，包括：反应器接口；导流件，该导流件附接到该反应器接口；反应器框架，该反应器框架设置在该反应器接口下方以固定基板；以及弹性物体，该弹性物体具有对应于附接到该反应器框架的基部的第一端部和对应于设置在该反应器接口下方的压缩主体的第二端部，以用压缩力在该反应器接口与该反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。该导流件是用于将工艺气流引导到反应器中来对于装载在该反应器中的基板执行沉积工艺的上游导流件或在执行该沉积工艺之后将残余物引导出该反应器的下游导流件中的一者。

公开(公告)号：CN114008755B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201980094654.6

申请日：2019-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邵寿潜 ,  苏宗辉 ,  赵来 ,  周建华 ,  彭菲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。

公开(公告)号：CN117980529A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180102656.2

申请日：2021-08-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·霍 ,  邵寿潜 ,  J·吉瑞·陈 ,  孙光伟 ,  许光秀 ,  赵来 ,  孙喆临 ,  苏宗辉

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/50

Abstract: 一种沉积室系统，包括反应器接口；导流件，所述导流件附接至所述反应器接口；反应器框架，所述反应器框架设置在所述反应器接口下方以紧固基板；以及弹性物体，所述弹性物体具有与附接至所述反应器接口的基部对应的第一端和与设置在所述反应器框架上方的压缩主体对应的第二端，以使用压缩力在所述反应器接口与所述反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。所述导流件是上游导流件或下游导流件中的一者，所述上游导流件引导工艺气体流进入反应器以对装载在所述反应器中的基板执行沉积工艺，所述下游导流件在执行所述沉积工艺之后将残余工艺气体引导出所述反应器。

公开(公告)号：CN110914954B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201880030307.2

申请日：2018-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏宗辉 ,  V·普拉巴卡尔 ,  A·A·哈贾 ,  J·李

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。

公开(公告)号：CN114008755A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201980094654.6

申请日：2019-04-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邵寿潜 ,  苏宗辉 ,  赵来 ,  周建华 ,  彭菲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。

公开(公告)号：CN110914954A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880030307.2

申请日：2018-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 苏宗辉 ,  V·普拉巴卡尔 ,  A·A·哈贾 ,  J·李

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。