公开(公告)号：CN117980529A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180102656.2

申请日：2021-08-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·霍 ,  邵寿潜 ,  J·吉瑞·陈 ,  孙光伟 ,  许光秀 ,  赵来 ,  孙喆临 ,  苏宗辉

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/50

Abstract: 一种沉积室系统，包括反应器接口；导流件，所述导流件附接至所述反应器接口；反应器框架，所述反应器框架设置在所述反应器接口下方以紧固基板；以及弹性物体，所述弹性物体具有与附接至所述反应器接口的基部对应的第一端和与设置在所述反应器框架上方的压缩主体对应的第二端，以使用压缩力在所述反应器接口与所述反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。所述导流件是上游导流件或下游导流件中的一者，所述上游导流件引导工艺气体流进入反应器以对装载在所述反应器中的基板执行沉积工艺，所述下游导流件在执行所述沉积工艺之后将残余工艺气体引导出所述反应器。

公开(公告)号：CN117980532A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180102524.X

申请日：2021-08-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰弗里·霍 ,  赵来 ,  马诺哈拉·拉詹纳 ,  孙光伟 ,  许光秀 ,  苏宗辉

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458

Abstract: 一种沉积室系统，包括：反应器接口；导流件，该导流件附接到该反应器接口；反应器框架，该反应器框架设置在该反应器接口下方以固定基板；以及弹性物体，该弹性物体具有对应于附接到该反应器框架的基部的第一端部和对应于设置在该反应器接口下方的压缩主体的第二端部，以用压缩力在该反应器接口与该反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。该导流件是用于将工艺气流引导到反应器中来对于装载在该反应器中的基板执行沉积工艺的上游导流件或在执行该沉积工艺之后将残余物引导出该反应器的下游导流件中的一者。

公开(公告)号：CN117980535A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280061002.4

申请日：2022-09-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 知利美兰 ,  迈克尔·梁 ,  杰弗里·A·霍 ,  许光秀

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

Abstract: 本文所述的实施方式提供了一种腔室，该腔室具有气流入口引导器以均匀地输送处理气体。该气流入口引导器具有带开口的流引导器底板。顶板设置在该流引导器底板上方，并且等离子体阻挡器设置在开口上方。该等离子体阻挡器包括一个或更多个孔隙，该一个或更多个孔隙是基于等离子体密度、电子温度、离子温度或处理气体的特性中的一者或更多者而定大小的。

公开(公告)号：CN117321766A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202180097364.4

申请日：2021-04-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 孙喆临 ,  许光秀 ,  赵来 ,  崔寿永

IPC: H01L27/12

Abstract: 本公开内容的实施方式涉及包括基板及覆盖基板的至少一部分的无定形氧化物膜的物品及晶体管结构及所述物品及晶体管结构的制备及使用方法，其中无定形氧化物膜包括第一氧化物及第二氧化物。第一氧化物可以包括氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)或上述项的组合，第二氧化物可以包括二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、一氧化氮(NO)或上述项的组合。无定形氧化物膜可以是保形的并且具有小于约1％的孔隙度且可具有约8至约28的介电常数(k)。