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公开(公告)号：CN112384642B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980044401.8
申请日：2019-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
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公开(公告)号：CN114503238B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201980099804.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定所述多个匹配网络的调谐顺序。如此，所述匹配网络中的一些匹配网络被调谐，而其他匹配网络被锁定。使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调谐所述匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在所述匹配网络之间发生干扰。
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公开(公告)号：CN118266057A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280077054.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本揭示案的实施方式大体关于适用于半导体处理腔室中的盖。该盖包括多个介电窗，该多个介电窗耦接至穿孔面板。该盖还包括多个支撑构件，该多个支撑构件耦接至该穿孔面板且放置于相邻的介电窗之间。该盖进一步包括多个电感耦合器。电感耦合器中的一者或更多者包括：第一下部分；第二下部分；及桥部。该桥部设置于该多个支撑构件中的至少一者上方。该第一下部分放置于该多个介电窗的第一介电窗上。该第二下部分放置于该多个介电窗的第二介电窗上。该第二介电窗相邻于该第一介电窗。
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公开(公告)号：CN112384642A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980044401.8
申请日：2019-06-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式提供了一种具有用于均匀地输送处理气体的气流入口引导件和用于有效地净化处理气体并减少净化时间的气流出口引导件的腔室。所述腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有处理气体入口和处理气体出口；盖组件；处理气体入口和处理气体出口，所述处理气体入口和处理气体出口被配置为与所述腔室中的处理区域流体连通；气流入口引导件，所述气流入口引导件设置在所述处理气体入口中；和气流出口引导件，所述气流出口引导件设置在所述处理气体出口中。所述气流入口引导件包括流调节器和至少两个第一入口引导通道，所第一入口引导通道具有不同的第一入口引导通道面积。所述气流出口引导件包括至少两个第一出口引导通道，所述第一出口引导通道具有不同的第一出口引导通道面积。
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公开(公告)号：CN113711343B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202080012402.7
申请日：2020-01-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , C23C16/458 , H02N13/00 , B23Q3/15 , H01L21/56
Abstract: 本公开内容的实施方式包括用于在沉积腔室中将掩模静电耦接到基板支撑件的方法和设备。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑件，所述基板支撑件包括：基板接收表面；凹陷部分，所述凹陷部分围绕所述基板接收表面的周边设置；静电吸盘，所述静电吸盘设置在所述基板接收表面下方；和多个可压缩按钮，所述多个可压缩按钮设置在形成于与所述静电吸盘形成电路的所述凹陷部分中的相应开口内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114008755A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201980094654.6
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。
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公开(公告)号：CN114008755B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980094654.6
申请日：2019-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/02 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本公开内容涉及用于等离子体处理基板的方法和设备。在一个实施方式中，基板处理腔室包括接地带组件。接地带组件包括接地带和一个或多个连接器，所述一个或多个连接器耦接到基板支撑件和/或腔室主体。每个连接器具有第一夹持构件和第二夹持构件。接地带紧固在每个连接器的第一夹持构件与第二夹持构件之间。第一夹持构件和第二夹持构件中的每一者的内表面耦接至接地带并且涂覆有介电涂层。内表面的厚度和粗糙度的调制使得能够调节连接器的电容特性。
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公开(公告)号：CN117980529A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180102656.2
申请日：2021-08-25
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种沉积室系统，包括反应器接口；导流件，所述导流件附接至所述反应器接口；反应器框架，所述反应器框架设置在所述反应器接口下方以紧固基板；以及弹性物体，所述弹性物体具有与附接至所述反应器接口的基部对应的第一端和与设置在所述反应器框架上方的压缩主体对应的第二端，以使用压缩力在所述反应器接口与所述反应器框架之间形成工艺气体围堵密封。所述导流件是上游导流件或下游导流件中的一者，所述上游导流件引导工艺气体流进入反应器以对装载在所述反应器中的基板执行沉积工艺，所述下游导流件在执行所述沉积工艺之后将残余工艺气体引导出所述反应器。
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公开(公告)号：CN114503238A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201980099804.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本文描述的实施方式涉及在半导体工艺内进行调谐以改善等离子体稳定性的方法。在这些实施方式中，提供多个匹配网络。所述匹配网络中的每一个匹配网络将射频(RF)源耦接到位于电极上的多个连接点中的一个连接点。基于调谐参数信息和物理几何信息，控制器确定所述多个匹配网络的调谐顺序。如此，所述匹配网络中的一些匹配网络被调谐，而其他匹配网络被锁定。使用多个匹配网络使处理腔室的处理空间内产生更均匀的等离子体。改善的等离子体均匀性使基板缺陷更少且器件性能更好。此外，在这些实施方式中，用于以一种顺序调谐所述匹配网络中的每一个匹配网络的能力减少或防止在所述匹配网络之间发生干扰。
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