公开(公告)号：CN109075059B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201680084797.5

申请日：2016-12-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  K·拉马斯瓦米 ,  M·R·赖斯 ,  R·C·福韦尔 ,  V·D·帕科

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

Abstract: 提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。

公开(公告)号：CN113169042A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980080609.5

申请日：2019-12-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开的某些实施例关于经涂布的制品以及涂布制品的方法。在一个实施例中，一种经涂布的制品包括适于在处理腔室中使用的制品，以及形成在制品的外表面和内表面上的涂层。在一个实施例中，涂层包括含稀土金属的陶瓷，并且涂层为基本上均匀的、保形的且无孔的。

公开(公告)号：CN111164735A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880064341.1

申请日：2018-09-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  D·芬威克 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 物件包含具有涂层的主体。涂层包含具有O/F摩尔比的M-O-F涂层，此可就物件接触的后续将来处理定制。

公开(公告)号：CN109643678A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052125.0

申请日：2017-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·M·斯李维亚 ,  张纯磊 ,  D·乌尔斯特伦 ,  M·R·赖斯

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第一真空系统耦接到第一共享真空泵，第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第二真空系统耦接到第二共享真空泵，其中第二真空系统流体独立于第一真空系统。

公开(公告)号：CN114672787B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202210350304.5

申请日：2019-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。

公开(公告)号：CN114672787A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202210350304.5

申请日：2019-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。

公开(公告)号：CN107548518B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201680025809.7

申请日：2016-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·拉维德 ,  T·J·伊根 ,  E·韦斯 ,  M·R·赖斯 ,  L·克莱蒙曼

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/68

Abstract: 在多个工艺条件下用于在反应器腔室内晶片定位的校准的光学校准方法和设备采用在腔室的盖中的相机阵列，使用晶片边缘的多个图像，以相对于参考特征而定位晶片。

公开(公告)号：CN110735128A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910653590.0

申请日：2019-07-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开的实施例涉及制品、被涂覆的制品以及用含稀土金属的氟化物涂层来涂覆这类制品的方法。所述涂层可至少包含已经被共沉积至所述制品的表面上的第一金属(例如，稀土金属、钽、锆等)和第二金属。所述涂层可包括第一金属和第二金属的均匀混合物，且不包含涂层中的层之间的机械分离。

公开(公告)号：CN108866509A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810443707.8

申请日：2018-05-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 邬笑炜 ,  D·芬威克 ,  詹国栋 ,  J·Y·孙 ,  M·R·赖斯

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C4/134 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18

Abstract: 一种制品，包括具有涂层的主体。所述涂层包括通过在钇基氧化物涂层上进行氟化工艺或者在钇基氟化物涂层上进行氧化工艺产生的Y‑O‑F涂层或其他钇基氧氟化物涂层。

公开(公告)号：CN103021908A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210396242.8

申请日：2006-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·R·赖斯

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201

Abstract: 于第一实施方式中，本发明提供用于半导体元件制造期间使用的主机。该第一主机包括(1)侧壁，可界定适于容设机械臂的中心传送区；(2)数个面，形成于该侧壁上，各适于耦接至处理室；以及(3)延伸面，形成于该侧壁上，可让该主机能耦接到至少四个全尺寸处理室，同时提供该主机的维护进出口。本发明亦揭示其它多种实施方式。