公开(公告)号：CN116544171A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310622201.4

申请日：2017-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。

公开(公告)号：CN108140550B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680058493.1

申请日：2016-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  H·诺巴卡施 ,  张纯磊 ,  S·F·庄司 ,  K·拉马斯瓦米 ,  R·史密斯 ,  B·L·梅斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

Abstract: 本公开的实施例关于在处理腔室中使用的喷淋头组件。喷淋头组件包括多孔插入件，该多孔插入件布置于气体分配板与底板之间的空间中，以缓和由等离子体点火导致的侵蚀性基团，从而减少腔室中的颗粒问题及金属污染。多孔插入件是诸如金属之类的导电材料，用以减少间隙电场强度，或可以是诸如陶瓷、聚四氟乙烯、聚酰胺酰亚胺或其他在高频及强电场的条件下具有低介电损失及高电场强度的材料之类的介电材料。如此，电击穿阈值被增强。多孔插入件可减少和/或消除喷淋头背侧等离子体点火，且可包括覆盖气体分配板的气孔的多个同心窄环。

公开(公告)号：CN108140550A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058493.1

申请日：2016-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  H·诺巴卡施 ,  张纯磊 ,  S·F·庄司 ,  K·拉马斯瓦米 ,  R·史密斯 ,  B·L·梅斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  H01J37/3244

Abstract: 本公开的实施例关于在处理腔室中使用的喷淋头组件。喷淋头组件包括多孔插入件，该多孔插入件布置于气体分配板与底板之间的空间中，以缓和由等离子体点火导致的侵蚀性基团，从而减少腔室中的颗粒问题及金属污染。多孔插入件是诸如金属之类的导电材料，用以减少间隙电场强度，或可以是诸如陶瓷、聚四氟乙烯、聚酰胺酰亚胺或其他在高频及强电场的条件下具有低介电损失及高电场强度的材料之类的介电材料。如此，电击穿阈值被增强。多孔插入件可减少和/或消除喷淋头背侧等离子体点火，且可包括覆盖气体分配板的气孔的多个同心窄环。

公开(公告)号：CN109155275B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201780032218.7

申请日：2017-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  赵在龙

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。

公开(公告)号：CN113366603A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202080012369.8

申请日：2020-01-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 清水大亮 ,  畠山大辉 ,  S·S·康 ,  川崎胜正 ,  张纯磊

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 使用反应离子蚀刻(RIE)在基板中产生高深宽比特征的方法和设备。在一些实施例中，一种方法包含：将C3H2F4与伴随气体的气体混合物流入处理腔室；使用连接到基板上方的上电极的RF电源和连接到基板下方的下电极的至少一个RF偏压电源来从气体混合物形成等离子体；经由等离子体使用图案掩模对基板上的至少一个氧化物层或氮化物层进行各向异性蚀刻；降低至少一个RF偏压电源的功率以在基板上的至少一个氧化物层或氮化物层上产生钝化层的沉积；以及将处理腔室排空，同时中断RF电源以停止等离子体形成。

公开(公告)号：CN107710398B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201780002052.4

申请日：2017-01-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  V·D·帕科 ,  H·王 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了一种静电夹盘，其具有射频耦合、适合使用在高功率等离子体环境中。在一些示例中，夹盘包含基底板、顶板、在顶板中邻近顶板的顶表面以静电夹紧工件的第一电极、以及在顶板中与第一电极间隔开的第二电极，第一与第二电极耦合至电源以对第一电极静电充电。

公开(公告)号：CN107636817B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201680023970.0

申请日：2016-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张纯磊 ,  P·克里米诺儿 ,  S·E·巴巴扬 ,  D·乌尔斯特伦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法，该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤：使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板，ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布，将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括：递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。

公开(公告)号：CN113675115A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110960034.5

申请日：2016-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张纯磊 ,  P·克里米诺儿 ,  S·E·巴巴扬 ,  D·乌尔斯特伦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本文所述的实施方式提供一种用于处理基板支撑组件上的基板的方法，该方法实现静电夹具与基板之间的热传递的横向与方位角两者上的调整。该方法包括下述步骤：使用ESC上的第一温度分布来处理第一基板，ESC具有主加热器与空间上可调整的加热器。从处理第一基板的结果来确定偏离目标结果分布的偏移分布。基于偏移分布，将第一温度分布调整为ESC上的第二温度分布。调整为第二温度分布包括：递增提供给对应于偏移分布的一个或更多个离散位置中的一个或更多个空间上可调整的加热器的功率。然后使用第二温度分布来处理ESC上的第二基板。

公开(公告)号：CN109643678A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052125.0

申请日：2017-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·M·斯李维亚 ,  张纯磊 ,  D·乌尔斯特伦 ,  M·R·赖斯

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第一真空系统耦接到第一共享真空泵，第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第二真空系统耦接到第二共享真空泵，其中第二真空系统流体独立于第一真空系统。

公开(公告)号：CN109219873A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034376.6

申请日：2017-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。