公开(公告)号：CN109075110A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780027652.6

申请日：2017-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·M·斯李维亚 ,  张春雷 ,  P·克里米诺儿 ,  赵在龙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。

公开(公告)号：CN109643678A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052125.0

申请日：2017-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·M·斯李维亚 ,  张纯磊 ,  D·乌尔斯特伦 ,  M·R·赖斯

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文公开了用于具有共享真空系统的多腔室处理系统的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的多腔室处理系统包括：第一处理腔室、第二处理腔室、第一真空系统、及第二真空系统，第一真空系统通过第一阀和第二阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第一真空系统耦接到第一共享真空泵，第二真空系统通过第三阀和第四阀耦接到第一处理腔室和第二处理腔室，且第二真空系统耦接到第二共享真空泵，其中第二真空系统流体独立于第一真空系统。

公开(公告)号：CN118525349A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202280087755.2

申请日：2022-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  K·阿赫卡索夫 ,  N·J·布莱特 ,  F·M·斯李维亚 ,  杨扬 ,  郭岳

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种半导体处理系统可包括被配置为在半导体晶片上执行配方的半导体处理腔室。所述系统可包括第一等离子体源，所述第一等离子体源向半导体处理腔室提供等离子体并且在配方的执行期间进行工作循环。所述系统也可包括第二等离子体源，所述第二等离子体源被配置为在第一等离子体源进行工作循环的同时维持半导体处理腔室中的等离子体。

公开(公告)号：CN114724916A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210449266.9

申请日：2017-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·M·斯李维亚 ,  张春雷 ,  P·克里米诺儿 ,  赵在龙

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

Abstract: 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。

公开(公告)号：CN109075110B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201780027652.6

申请日：2017-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： F·M·斯李维亚 ,  张春雷 ,  P·克里米诺儿 ,  赵在龙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。