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公开(公告)号：CN108028165B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201680052167.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：在第一时间周期期间以第一功率水平将第一脉冲RF功率波形提供到处理腔室，在第一时间周期期间以第一功率水平将第二脉冲RF功率波形提供到处理腔室，取得在第一时间周期期间提供的第一与第二脉冲RF功率波形所建立的第一反射功率，以及执行第一负载均衡处理来调整第一脉冲RF功率波形的第一功率水平，以补偿在第一时间周期期间所取得的反射功率，从而产生预设功率水平的传输功率。
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公开(公告)号：CN110313049A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012503.7
申请日：2018-02-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 川崎胜正
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供了用于RF脉冲反射减少的方法和系统。在一些实施例中，一种方法包括：(a)接收用于处理基板的处理配方，所述处理配方包括在第一工作周期期间的来自多个RF产生器的多个脉冲RF功率波形，(b)将第一工作周期分成多个相等的时间间隔，(c)对于每个RF产生器，确定对于所有间隔的频率命令集合，并且将所述频率命令集合发送到所述RF产生器，其中所述频率命令集合包括对于在多个相等的时间间隔中的每个间隔的频率设定点，以及(d)根据发送到每个RF产生器的所述频率命令集合，在第一工作周期期间将多个RF功率波形从多个RF产生器提供到处理腔室。
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公开(公告)号：CN118215981A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202280074214.6
申请日：2022-10-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开的实施例总体涉及半导体器件制造工艺中使用的系统。更具体地，本文提供的实施例总体包含用于同步并且控制RF偏压信号和脉冲电压波形的输送向等离子体处理腔室内的一个或多个电极的输送的装置和方法。本公开的实施例包含将脉冲射频(RF)波形与脉冲电压(PV)波形同步的方法和装置，使得脉冲RF波形在PV波形的第一阶段期间开启并在第二阶段期间关闭。PV波形的第一阶段包含壳层崩溃阶段。PV波形的第二阶段包含离子电流阶段。
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公开(公告)号：CN108028165A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052167.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：在第一时间周期期间以第一功率水平将第一脉冲RF功率波形提供到处理腔室，在第一时间周期期间以第一功率水平将第二脉冲RF功率波形提供到处理腔室，取得在第一时间周期期间提供的第一与第二脉冲RF功率波形所建立的第一反射功率，以及执行第一负载均衡处理来调整第一脉冲RF功率波形的第一功率水平，以补偿在第一时间周期期间所取得的反射功率，从而产生预设功率水平的传输功率。
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公开(公告)号：CN113366603B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202080012369.8
申请日：2020-01-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 使用反应离子蚀刻(RIE)在基板中产生高深宽比特征的方法和设备。在一些实施例中，一种方法包含：将C3H2F4与伴随气体的气体混合物流入处理腔室；使用连接到基板上方的上电极的RF电源和连接到基板下方的下电极的至少一个RF偏压电源来从气体混合物形成等离子体；经由等离子体使用图案掩模对基板上的至少一个氧化物层或氮化物层进行各向异性蚀刻；降低至少一个RF偏压电源的功率以在基板上的至少一个氧化物层或氮化物层上产生钝化层的沉积；以及将处理腔室排空，同时中断RF电源以停止等离子体形成。
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公开(公告)号：CN108028167B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680054823.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供一种使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：提供第一多电平RF功率波形到处理腔室，所述第一多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平，以及在第一延迟周期之后，提供第二多电平RF功率波形到所述处理腔室，所述第二多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、及第三脉冲持续时间期间的第三功率电平。
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公开(公告)号：CN108028166A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052937.0
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
发明人： 川崎胜正
摘要： 本文提供用于处理腔室中的RF脉冲反射减量的方法与系统。在一些实施例中，方法包括以下步骤：(a)在第一时间周期期间从多个RF产生器提供多个脉冲RF功率波形，(b)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的初始反射功率分布，(c)针对多个脉冲RF功率波形中的每一者，确定反射功率的最高水平，并控制匹配网络或RF产生器中的至少一者，以减少反射功率的最高水平，(d)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布，以及(e)重复(c)与(d)，直到多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布在阈值调谐范围中。
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公开(公告)号：CN112585716B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980054968.3
申请日：2019-08-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文中提供用于RF脉冲反射减少的方法。在一些实施例中，一种用于使用多电平脉冲RF功率在等离子体增强基板处理系统中处理基板的方法包括：接收用于处理基板的工艺配方，所述工艺配方包括来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形；使用主RF发生器来产生具有基频和第一工作周期的晶体管‑晶体管逻辑(TTL)信号；为每个RF发生器设定乘数；将第一工作周期划分为高电平间隔和低电平间隔；确定用于每个RF发生器的频率命令集，并且将频率命令集发送至每个RF发生器，其中频率命令集包括每个RF发生器的频率设定点；以及将来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形提供至工艺腔室。
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公开(公告)号：CN110313049B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201880012503.7
申请日：2018-02-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 川崎胜正
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供了用于RF脉冲反射减少的方法和系统。在一些实施例中，一种方法包括：(a)接收用于处理基板的处理配方，所述处理配方包括在第一工作周期期间的来自多个RF产生器的多个脉冲RF功率波形，(b)将第一工作周期分成多个相等的时间间隔，(c)对于每个RF产生器，确定对于所有间隔的频率命令集合，并且将所述频率命令集合发送到所述RF产生器，其中所述频率命令集合包括对于在多个相等的时间间隔中的每个间隔的频率设定点，以及(d)根据发送到每个RF产生器的所述频率命令集合，在第一工作周期期间将多个RF功率波形从多个RF产生器提供到处理腔室。
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公开(公告)号：CN108028166B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201680052937.0
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
发明人： 川崎胜正
摘要： 本文提供用于处理腔室中的RF脉冲反射减量的方法与系统。在一些实施例中，方法包括以下步骤：(a)在第一时间周期期间从多个RF产生器提供多个脉冲RF功率波形，(b)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的初始反射功率分布，(c)针对多个脉冲RF功率波形中的每一者，确定反射功率的最高水平，并控制匹配网络或RF产生器中的至少一者，以减少反射功率的最高水平，(d)确定多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布，以及(e)重复(c)与(d)，直到多个脉冲RF功率波形中的每一者的经调整反射功率分布在阈值调谐范围中。
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