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公开(公告)号：CN108028165A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052167.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：在第一时间周期期间以第一功率水平将第一脉冲RF功率波形提供到处理腔室，在第一时间周期期间以第一功率水平将第二脉冲RF功率波形提供到处理腔室，取得在第一时间周期期间提供的第一与第二脉冲RF功率波形所建立的第一反射功率，以及执行第一负载均衡处理来调整第一脉冲RF功率波形的第一功率水平，以补偿在第一时间周期期间所取得的反射功率，从而产生预设功率水平的传输功率。
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公开(公告)号：CN108028167B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680054823.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供一种使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：提供第一多电平RF功率波形到处理腔室，所述第一多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平，以及在第一延迟周期之后，提供第二多电平RF功率波形到所述处理腔室，所述第二多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、及第三脉冲持续时间期间的第三功率电平。
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公开(公告)号：CN108028165B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201680052167.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文提供使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用脉冲射频(RF)功率操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：在第一时间周期期间以第一功率水平将第一脉冲RF功率波形提供到处理腔室，在第一时间周期期间以第一功率水平将第二脉冲RF功率波形提供到处理腔室，取得在第一时间周期期间提供的第一与第二脉冲RF功率波形所建立的第一反射功率，以及执行第一负载均衡处理来调整第一脉冲RF功率波形的第一功率水平，以补偿在第一时间周期期间所取得的反射功率，从而产生预设功率水平的传输功率。
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公开(公告)号：CN106663648A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580042920.2
申请日：2015-11-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 描述了一种基板载具，该基板载具使用比例式热流体输送系统。在一个示例中，装置包括热交换器，以向基板载具的流体通道提供热流体并且接收来自流体通道的热流体，流体通道中的热流体用以在基板处理期间控制载具的温度。比例阀控制从热交换器至流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载具的热传感器的测得温度，且响应于该测得温度而控制比例阀以调整流速。
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公开(公告)号：CN112585716B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980054968.3
申请日：2019-08-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文中提供用于RF脉冲反射减少的方法。在一些实施例中，一种用于使用多电平脉冲RF功率在等离子体增强基板处理系统中处理基板的方法包括：接收用于处理基板的工艺配方，所述工艺配方包括来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形；使用主RF发生器来产生具有基频和第一工作周期的晶体管‑晶体管逻辑(TTL)信号；为每个RF发生器设定乘数；将第一工作周期划分为高电平间隔和低电平间隔；确定用于每个RF发生器的频率命令集，并且将频率命令集发送至每个RF发生器，其中频率命令集包括每个RF发生器的频率设定点；以及将来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形提供至工艺腔室。
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公开(公告)号：CN108028167A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680054823.X
申请日：2016-07-19
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供一种使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法。在一些实施例中，使用多电平脉冲RF功率来操作等离子体增强基板处理系统的方法包括以下步骤：提供第一多电平RF功率波形到处理腔室，所述第一多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、和第三脉冲持续时间期间的第三功率电平，以及在第一延迟周期之后，提供第二多电平RF功率波形到所述处理腔室，所述第二多电平RF功率波形至少具有第一脉冲持续时间期间的第一功率电平、第二脉冲持续时间期间的第二功率电平、及第三脉冲持续时间期间的第三功率电平。
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公开(公告)号：CN112585716A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054968.3
申请日：2019-08-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文中提供用于RF脉冲反射减少的方法。在一些实施例中，一种用于使用多电平脉冲RF功率在等离子体增强基板处理系统中处理基板的方法包括：接收用于处理基板的工艺配方，所述工艺配方包括来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形；使用主RF发生器来产生具有基频和第一工作周期的晶体管‑晶体管逻辑(TTL)信号；为每个RF发生器设定乘数；将第一工作周期划分为高电平间隔和低电平间隔；确定用于每个RF发生器的频率命令集，并且将频率命令集发送至每个RF发生器，其中频率命令集包括每个RF发生器的频率设定点；以及将来自多个RF发生器的多个脉冲RF功率波形提供至工艺腔室。
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公开(公告)号：CN106663648B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201580042920.2
申请日：2015-11-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
摘要： 描述了一种基板载具，该基板载具使用比例式热流体输送系统。在一个示例中，装置包括热交换器，以向基板载具的流体通道提供热流体并且接收来自流体通道的热流体，流体通道中的热流体用以在基板处理期间控制载具的温度。比例阀控制从热交换器至流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载具的热传感器的测得温度，且响应于该测得温度而控制比例阀以调整流速。
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