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公开(公告)号：CN114555987A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080057808.7
申请日：2020-08-13
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在本文中提供了用于基板处理腔室中的对称的流量阀的实施例。在一些实施例中，一种对称的流量阀包括：阀体，所述阀体具有侧壁、底板和顶板，所述侧壁、所述底板和所述顶板一起界定内部空间，其中所述顶板包括：一个或多个轴对称地设置的开口；提升阀，设置在所述内部空间中，其中所述提升阀包括：中央开口和多个部分，所述多个部分经配置以在对称的流量阀处于封闭位置时，选择性地密封顶板的一个或多个轴对称地设置的开口；和第一致动器，所述第一致动器耦接至提升阀以将提升阀定位在内部空间内位于至少开放位置、以及所述封闭位置，其中在所述开放位置，提升阀与顶板间隔开以允许流量通过顶板的一个或多个轴对称地设置的开口。
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公开(公告)号：CN110352479A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880014818.5
申请日：2018-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一个实现中，提供了一种喷头组件。喷头组件包括第一电极和气体分配面板，第一电极具有穿过所述第一电极的多个开口，气体分配面板附接到电极的第一下主表面。气体分配板包括多个通孔，用于将工艺气体输送至处理腔室。气体分配板被分成多个温度控制区域。喷头组件进一步包括急冷板和多个热控制装置，急冷板位于电极上方用于提供温度控制，多个热控制装置用以管理喷头组件内的热传递。热控制装置包括热电模块和与热电模块耦接的热管组件。多个热控制装置中的每一个与温度控制区域相关联，并向其相关联的温度控制区域提供独立的温度控制。
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公开(公告)号：CN110610844A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910524333.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文提供用于在基板支撑件中使用的工艺配件部件的实施方式以及结合有所述实施方式的基板支撑件。在一些实施方式中，所述基板支撑件可以包括：主体；接地外壳，所述接地外壳由围绕所述主体设置的导电材料形成；衬里，所述衬里由围绕所述接地外壳设置的导电材料形成，其中所述衬里包括朝向所述主体向内延伸的上唇缘；金属紧固件，所述金属紧固件穿过所述上唇缘设置以将所述衬里耦接到所述接地外壳；以及第一绝缘体环，所述第一绝缘体环设置在所述衬里的所述上唇缘顶上并覆盖所述金属紧固件。
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公开(公告)号：CN110444490A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910360899.0
申请日：2019-04-30
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供了半导体基板处理设备和方法。本文所述的实施例包括一种处理工具，所述处理工具包括被配置为用于处理压力的快速和稳定的变化。在一个实施例中，所述处理工具可以包括腔室主体。在一个实施例中，所述腔室主体是真空腔室。所述处理工具可以进一步包括吸盘，所述吸盘用于支撑腔室主体中的基板。在一个实施例中，所述处理工具还可以包括环绕所述吸盘的阴极衬里和与所述阴极衬里对准的流限制环。在一个实施例中，所述阴极衬里和所述流限制环在主处理容积与所述真空腔室的外围容积之间限定开口。
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公开(公告)号：CN110352479B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201880014818.5
申请日：2018-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 在一个实现中，提供了一种喷头组件。喷头组件包括第一电极和气体分配面板，第一电极具有穿过所述第一电极的多个开口，气体分配面板附接到电极的第一下主表面。气体分配板包括多个通孔，用于将工艺气体输送至处理腔室。气体分配板被分成多个温度控制区域。喷头组件进一步包括急冷板和多个热控制装置，急冷板位于电极上方用于提供温度控制，多个热控制装置用以管理喷头组件内的热传递。热控制装置包括热电模块和与热电模块耦接的热管组件。多个热控制装置中的每一个与温度控制区域相关联，并向其相关联的温度控制区域提供独立的温度控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293026A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911226343.9
申请日：2019-12-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种减少聚合物沉积的设备和方法。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中，提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在上环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。
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公开(公告)号：CN118431112A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410505971.5
申请日：2018-05-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 在一个实现中，提供了一种喷头组件。喷头组件包括第一电极和气体分配面板，第一电极具有穿过所述第一电极的多个开口，气体分配面板附接到电极的第一下主表面。气体分配板包括多个通孔，用于将工艺气体输送至处理腔室。气体分配板被分成多个温度控制区域。喷头组件进一步包括急冷板和多个热控制装置，急冷板位于电极上方用于提供温度控制，多个热控制装置用以管理喷头组件内的热传递。热控制装置包括热电模块和与热电模块耦接的热管组件。多个热控制装置中的每一个与温度控制区域相关联，并向其相关联的温度控制区域提供独立的温度控制。
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公开(公告)号：CN117859200A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057836.8
申请日：2022-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文的本公开的实施例包括用于处理基板的设备。更具体地，本公开的实施例提供基板支撑组件，所述基板支撑组件包括静电卡盘(ESC)组件。ESC组件包括：冷却基底，所述冷却基底具有顶部表面和外直径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底部表面和外直径侧壁，所述ESC的底部表面通过粘着层耦合至冷却基底的顶部表面。基板支撑组件包括阻挡环，所述阻挡环设置成围绕冷却基底与ESC的外直径侧壁，所述阻挡环屏蔽ESC的底部表面和冷却基底的顶部表面之间的接口。
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公开(公告)号：CN109642319A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780048888.8
申请日：2017-08-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/54 , B01J4/00
Abstract: 本文公开了用于控制流至工艺腔室的气流方法及装置。在一些实施例中，处理系统包括：第一工艺腔室，所述第一工艺腔室具有第一气体输入；第一气体断路器，所述第一气体断路器布置于第一气体输入的上游；第一可调整阀门，所述第一可调整阀门布置于第一气体断路器的上游；以及第一隔离阀门，所述第一隔离阀门布置于第一可调整阀门的上游。处理系统可进一步包括：第二工艺腔室，所述第二工艺腔室具有第二气体输入；第二气体断路器，所述第二气体断路器布置于第二气体输入的上游；第二可调整阀门，所述第二可调整阀门布置于第二气体断路器的上游；以及第二隔离阀门，所述第二隔离阀门布置于第二可调整阀门的上游。共用气源可布置于第一隔离阀门和第二隔离阀门的上游，以将一种或多种气体提供至第一工艺腔室且提供至第二工艺腔室。
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公开(公告)号：CN210722949U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201922202771.X
申请日：2019-12-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实现方式提供了一种衬底支撑组件。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中，提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在上环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。
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