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发明公开
使用脉冲电压和射频功率的等离子体处理审中-实审

公开(公告)号：CN115605973A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180033056.5

申请日：2021-07-02

Applicant: 应用材料公司(US)

Inventor： L·多尔夫 , R·丁德萨 , J·罗杰斯 , D·S·卞 , E·卡米内茨基 , 郭岳 , K·拉马斯瓦米 , V·N·托多罗 , O·卢艾莱

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文中所提供的本公开的实施例包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置和方法。更具体地，本公开的实施例描述一种偏置机制，所述偏置机制被配置成将从RF发生器射频(RF)产生的RF波形提供至处理腔室内的一个或多个电极，且将从一个或多个脉冲电压(PV)发生器输送的脉冲电压(PV)波形提供至处理腔室内的一个或多个电极。本文所公开的(多个)等离子体工艺可用于控制离子能量分布函数(IEDF)的形状，以及在等离子体处理期间控制等离子体与基板表面的相互作用。

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