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公开(公告)号：CN114361002A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210051717.3
申请日：2017-06-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
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公开(公告)号：CN108369922A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680067775.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L21/68742
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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公开(公告)号：CN115836381A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180042877.5
申请日：2021-04-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 提供了一种在低温温度下蚀刻硅的方法。所述方法包括：在诸如特征的多个侧壁之类的暴露表面上，在低温温度下由稀有气体的冷凝形成惰性层，以在蚀刻工艺之前钝化侧壁。所述方法进一步包括：使含氟前驱物气体流入腔室，以在惰性层上形成含氟层。所述方法进一步包括：将含氟层和惰性层暴露于能量源，以在基板的多个暴露部分上形成钝化层，并且将基板暴露于离子以蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN116110846A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310233773.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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公开(公告)号：CN108369922B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201680067775.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417013B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201780036469.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
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公开(公告)号：CN113906539A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080037396.0
申请日：2020-03-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本公开的实施例提供了用于在图案化工艺之间、期间、之前或之后在基板上形成期望的材料层的方法和设备。在一个实施例中，一种用于在基板上形成材料层的方法包含以下步骤：使第一气体前驱物脉冲到基板的表面上，该第一气体前驱物包括有机硅化合物。该方法还包含以下步骤：将来自该第一气体前驱物的第一元素设置到该基板的该表面上。该方法进一步包含以下步骤：在设置该第一元素的同时，维持基板温度小于约110摄氏度。使第二气体前驱物脉冲到该基板的该表面上。此外，该方法包含以下步骤：将来自该第二气体前驱物的第二元素设置到该基板的该表面上的该第一元素。
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公开(公告)号：CN108206148A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711213957.4
申请日：2017-11-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J2237/334 , H01L21/67005 , H01L21/683 , H01L2221/67 , H01L2221/683
Abstract: 公开了用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。
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公开(公告)号：CN114361002B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210051717.3
申请日：2017-06-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
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公开(公告)号：CN111095523A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004426.5
申请日：2019-01-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于在基板上形成结构的方法及相关处理装备(例如，在基板上形成的一个或更多个层内蚀刻高纵横比结构)。本文所述的方法及相关装备可以通过控制基板的周边附近的等离子体鞘层边界的曲率来改善基板上的结构的形成(例如，通过在整个基板上(即，从中心到边缘)产生基本平坦的等离子体鞘层边界)。下文描述的方法及相关装备可以提供等离子体鞘层边界的曲率的控制，并包括通过使用分离且独立的RF功率源来将RF功率施加到围绕基板的边缘环，以产生平坦的等离子体鞘层边界。
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