公开(公告)号：CN118613900A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019095.9

申请日：2023-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姚忠华 ,  符谦 ,  A·艾普勒 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033

Abstract: 示例性半导体处理方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的侧壁延伸。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以及使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的一部分。接触可氧化含硼材料。

公开(公告)号：CN120035879A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202380072629.4

申请日：2023-10-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姚忠华 ,  符谦 ,  M·J·萨利 ,  杨扬 ,  J·W·安西斯 ,  D·克纳普 ,  R·萨提亚纳拉亚南

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法包括：在蚀刻腔室内提供基底结构，所述基底结构包括设置在基板上的目标层和设置在目标层上的蚀刻掩模；在蚀刻腔室内使用亚硫酰氯来干式蚀刻目标层以获得经处理的基底结构；以及之后形成多个特征。经处理的基底结构包括由蚀刻掩模限定的多个特征和多个开口。所述方法进一步包括从蚀刻腔室移除经处理的基底结构。在一些实施例中，目标层包括碳。在一些实施例中，在低于零度的温度下执行干式蚀刻。

公开(公告)号：CN115836381A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180042877.5

申请日：2021-04-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·加西亚德戈罗多 ,  姚忠华 ,  S·斯里尼瓦杉 ,  朴相昱

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 提供了一种在低温温度下蚀刻硅的方法。所述方法包括：在诸如特征的多个侧壁之类的暴露表面上，在低温温度下由稀有气体的冷凝形成惰性层，以在蚀刻工艺之前钝化侧壁。所述方法进一步包括：使含氟前驱物气体流入腔室，以在惰性层上形成含氟层。所述方法进一步包括：将含氟层和惰性层暴露于能量源，以在基板的多个暴露部分上形成钝化层，并且将基板暴露于离子以蚀刻基板。