公开(公告)号：CN115836381A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202180042877.5

申请日：2021-04-26

申请人： 应用材料公司

发明人： A·加西亚德戈罗多 ,  姚忠华 ,  S·斯里尼瓦杉 ,  朴相昱

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308

摘要： 提供了一种在低温温度下蚀刻硅的方法。所述方法包括：在诸如特征的多个侧壁之类的暴露表面上，在低温温度下由稀有气体的冷凝形成惰性层，以在蚀刻工艺之前钝化侧壁。所述方法进一步包括：使含氟前驱物气体流入腔室，以在惰性层上形成含氟层。所述方法进一步包括：将含氟层和惰性层暴露于能量源，以在基板的多个暴露部分上形成钝化层，并且将基板暴露于离子以蚀刻基板。

公开(公告)号：CN118613900A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019095.9

申请日：2023-01-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 姚忠华 ,  符谦 ,  A·艾普勒 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/033

摘要： 示例性半导体处理方法可包括在基板上沉积含硼材料。含硼材料可沿着基板中的一个或多个特征的侧壁延伸。方法可包括形成含氧前驱物的等离子体以及使基板与含氧前驱物的等离子体流出物接触。接触可蚀刻基板中的一个或多个特征的一部分。接触可氧化含硼材料。